Interband transitions of interband transitions of 'SI' 2-doped layers in para-type 'GA''AS' (1990)
- Autores:
- Autores USP: LEITE, JOSE ROBERTO - IF ; MARTINS, JOSE MANUEL DE VASCONCELOS - IF
- Unidade: IF
- Assunto: FÍSICA NUCLEAR
- Idioma: Inglês
- Fonte:
- Título do periódico: International Journal of Quantum Chemistry Symposium
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.24, p.447-54, 1990
-
ABNT
SCOLFARO, L M R et al. Interband transitions of interband transitions of 'SI' 2-doped layers in para-type 'GA''AS'. International Journal of Quantum Chemistry Symposium, v. 24, p. 447-54, 1990Tradução . . Acesso em: 19 abr. 2024. -
APA
Scolfaro, L. M. R., Mendonca, C. A. C., Menezes, E. A., Martins, J. M. de V., & Leite, J. R. (1990). Interband transitions of interband transitions of 'SI' 2-doped layers in para-type 'GA''AS'. International Journal of Quantum Chemistry Symposium, 24, 447-54. -
NLM
Scolfaro LMR, Mendonca CAC, Menezes EA, Martins JM de V, Leite JR. Interband transitions of interband transitions of 'SI' 2-doped layers in para-type 'GA''AS'. International Journal of Quantum Chemistry Symposium. 1990 ;24 447-54.[citado 2024 abr. 19 ] -
Vancouver
Scolfaro LMR, Mendonca CAC, Menezes EA, Martins JM de V, Leite JR. Interband transitions of interband transitions of 'SI' 2-doped layers in para-type 'GA''AS'. International Journal of Quantum Chemistry Symposium. 1990 ;24 447-54.[citado 2024 abr. 19 ] - Electronic structure of 'BE'-doped 'GA''AS'
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