Ion incorporation and exchange effects in porous silicon (1993)
- Authors:
- Autor USP: BASMAJI, PIERRE - IFSC
- Unidade: IFSC
- DOI: 10.1016/0038-1098(93)90331-g
- Subjects: MATÉRIA CONDENSADA; MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Solid State Communications
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.87, n.2 , p.89-92, 1993
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
BASMAJI, Pierre e MATVIENKO, B e GRIVICKAS, V. Ion incorporation and exchange effects in porous silicon. Solid State Communications, v. 87, n. 2 , p. 89-92, 1993Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/0038-1098(93)90331-g. Acesso em: 23 abr. 2024. -
APA
Basmaji, P., Matvienko, B., & Grivickas, V. (1993). Ion incorporation and exchange effects in porous silicon. Solid State Communications, 87( 2 ), 89-92. doi:10.1016/0038-1098(93)90331-g -
NLM
Basmaji P, Matvienko B, Grivickas V. Ion incorporation and exchange effects in porous silicon [Internet]. Solid State Communications. 1993 ;87( 2 ): 89-92.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0038-1098(93)90331-g -
Vancouver
Basmaji P, Matvienko B, Grivickas V. Ion incorporation and exchange effects in porous silicon [Internet]. Solid State Communications. 1993 ;87( 2 ): 89-92.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0038-1098(93)90331-g - Heteroestruturas 'AL''GA''AS' / 'GA''AS' com mobilidade 390 x'10 POT.3''CENTIMETROS QUADRADOS' / v.S crescidas por mbe
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Informações sobre o DOI: 10.1016/0038-1098(93)90331-g (Fonte: oaDOI API)
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