'IN''AS' wire crystals grown by molecular beam epitaxy on porous 'SI' (1993)
- Autores:
- Autor USP: BASMAJI, PIERRE - IFSC
- Unidade: IFSC
- Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA; MATÉRIA CONDENSADA
- Idioma: Inglês
- Imprenta:
- Fonte:
- Título do periódico: Physica Status Solidi a
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.139, n.1 , p.k21-4, sep. 1993
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ABNT
BASMAJI, Pierre e LUBYSHEV, D I e ROSSI, J C. 'IN''AS' wire crystals grown by molecular beam epitaxy on porous 'SI'. Physica Status Solidi a, v. 139, n. 1 , p. se 1993, 1993Tradução . . Acesso em: 23 abr. 2024. -
APA
Basmaji, P., Lubyshev, D. I., & Rossi, J. C. (1993). 'IN''AS' wire crystals grown by molecular beam epitaxy on porous 'SI'. Physica Status Solidi a, 139( 1 ), se 1993. -
NLM
Basmaji P, Lubyshev DI, Rossi JC. 'IN''AS' wire crystals grown by molecular beam epitaxy on porous 'SI'. Physica Status Solidi a. 1993 ;139( 1 ): se 1993.[citado 2024 abr. 23 ] -
Vancouver
Basmaji P, Lubyshev DI, Rossi JC. 'IN''AS' wire crystals grown by molecular beam epitaxy on porous 'SI'. Physica Status Solidi a. 1993 ;139( 1 ): se 1993.[citado 2024 abr. 23 ] - Heteroestruturas 'AL''GA''AS' / 'GA''AS' com mobilidade 390 x'10 POT.3''CENTIMETROS QUADRADOS' / v.S crescidas por mbe
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