Electrical activation of potassium and phosphorus ions implanted in hydrogenated amorphous silicon (1993)
- Autores:
- Autor USP: FONSECA, FERNANDO JOSEPETTI - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.1080/13642819308230222
- Assunto: SEMICONDUTORES
- Idioma: Inglês
- Imprenta:
- Fonte:
- Título do periódico: Philosophical Magazine B
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.67, n.1 , p.107-15, 1993
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
FONSECA, Fernando Josepetti e GALLONI, R e NYLANDSTED LARSEN, A. Electrical activation of potassium and phosphorus ions implanted in hydrogenated amorphous silicon. Philosophical Magazine B, v. 67, n. 1 , p. 107-15, 1993Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1080/13642819308230222. Acesso em: 20 abr. 2024. -
APA
Fonseca, F. J., Galloni, R., & Nylandsted Larsen, A. (1993). Electrical activation of potassium and phosphorus ions implanted in hydrogenated amorphous silicon. Philosophical Magazine B, 67( 1 ), 107-15. doi:10.1080/13642819308230222 -
NLM
Fonseca FJ, Galloni R, Nylandsted Larsen A. Electrical activation of potassium and phosphorus ions implanted in hydrogenated amorphous silicon [Internet]. Philosophical Magazine B. 1993 ;67( 1 ): 107-15.[citado 2024 abr. 20 ] Available from: https://doi.org/10.1080/13642819308230222 -
Vancouver
Fonseca FJ, Galloni R, Nylandsted Larsen A. Electrical activation of potassium and phosphorus ions implanted in hydrogenated amorphous silicon [Internet]. Philosophical Magazine B. 1993 ;67( 1 ): 107-15.[citado 2024 abr. 20 ] Available from: https://doi.org/10.1080/13642819308230222 - Efeito do recozimento termico em peliculas de a-'SI': h dopadas por implantacao ionica
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Informações sobre o DOI: 10.1080/13642819308230222 (Fonte: oaDOI API)
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