Kinetic limit of segregation during the molecular beam epitaxy of 'GA''AS' / 'AL''AS' heterostructures (1997)
- Autores:
- Autor USP: BASMAJI, PIERRE - IFSC
- Unidade: IFSC
- Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA; MATÉRIA CONDENSADA
- Idioma: Inglês
- Imprenta:
- Local: Águas de Lindóia
- Data de publicação: 1997
- Fonte:
- Título do periódico: Program and Abstracts
- Nome do evento: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics
-
ABNT
ZANELATTO, G et al. Kinetic limit of segregation during the molecular beam epitaxy of 'GA''AS' / 'AL''AS' heterostructures. 1997, Anais.. Águas de Lindóia: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, 1997. . Acesso em: 19 abr. 2024. -
APA
Zanelatto, G., Pusep, Y. A., Lubyshev, D. I., Galzerani, J. C., & Basmaji, P. (1997). Kinetic limit of segregation during the molecular beam epitaxy of 'GA''AS' / 'AL''AS' heterostructures. In Program and Abstracts. Águas de Lindóia: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo. -
NLM
Zanelatto G, Pusep YA, Lubyshev DI, Galzerani JC, Basmaji P. Kinetic limit of segregation during the molecular beam epitaxy of 'GA''AS' / 'AL''AS' heterostructures. Program and Abstracts. 1997 ;[citado 2024 abr. 19 ] -
Vancouver
Zanelatto G, Pusep YA, Lubyshev DI, Galzerani JC, Basmaji P. Kinetic limit of segregation during the molecular beam epitaxy of 'GA''AS' / 'AL''AS' heterostructures. Program and Abstracts. 1997 ;[citado 2024 abr. 19 ] - Heteroestruturas 'AL''GA''AS' / 'GA''AS' com mobilidade 390 x'10 POT.3''CENTIMETROS QUADRADOS' / v.S crescidas por mbe
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