Polarizability of a donor impurity in a GaAs-AlGaAs quantum wire (1997)
- Autores:
- Autor USP: LEITE, JOSE ROBERTO - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1016/s0038-1098(97)00168-3
- Assunto: FÍSICA
- Idioma: Inglês
- Fonte:
- Título do periódico: Solid State Communications
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 103, n. 6, p. 375-380, 1997
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
OSORIO, Francisco A P et al. Polarizability of a donor impurity in a GaAs-AlGaAs quantum wire. Solid State Communications, v. 103, n. 6, p. 375-380, 1997Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(97)00168-3. Acesso em: 19 abr. 2024. -
APA
Osorio, F. A. P., Borges, A. N., Caparica, A. A., & Leite, J. R. (1997). Polarizability of a donor impurity in a GaAs-AlGaAs quantum wire. Solid State Communications, 103( 6), 375-380. doi:10.1016/s0038-1098(97)00168-3 -
NLM
Osorio FAP, Borges AN, Caparica AA, Leite JR. Polarizability of a donor impurity in a GaAs-AlGaAs quantum wire [Internet]. Solid State Communications. 1997 ; 103( 6): 375-380.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(97)00168-3 -
Vancouver
Osorio FAP, Borges AN, Caparica AA, Leite JR. Polarizability of a donor impurity in a GaAs-AlGaAs quantum wire [Internet]. Solid State Communications. 1997 ; 103( 6): 375-380.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(97)00168-3 - Propriedades eletronicas dos complexos ouro substitucional-metal de transicao intersticial em silicio
- Current research on semiconductor physics
- Hydrogen passivation of shallow acceptor levels in crystalline silicon
- Estrutura eletronica do semicondutor diamante tipo p
- Dangling bonds reconstruction effects on the formation entropy of a silicon vacancy
- Semiconductor physics: procedings of the 3 rd brazilian school of semiconductor physics
- Self-consistent one-electron states of substitutional and interstitial 3d transition-atom impurities in diamond and germanium
- Deep levels induced by 3d transition metal impurities in diamond
- Native surface defects at low-index reconstructed cubic GaN surfaces
- Evidence of Fabry-Pérot oscillations in the emission spectra of deep centers in cubic GaN epitaxial layers
Informações sobre o DOI: 10.1016/s0038-1098(97)00168-3 (Fonte: oaDOI API)
Como citar
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
