Hydrostatic pressure studies of GaAs tunnel diodes (1998)
- Authors:
- Autor USP: BASMAJI, PIERRE - IFSC
- Unidade: IFSC
- DOI: 10.1063/1.367394
- Subjects: MATÉRIA CONDENSADA; MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS); SEMICONDUTORES
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Journal of Applied Physics
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 83, n. 10, p. 5573-5575, 1998
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
BEJI, L et al. Hydrostatic pressure studies of GaAs tunnel diodes. Journal of Applied Physics, v. 83, n. 10, p. 5573-5575, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.367394. Acesso em: 19 abr. 2024. -
APA
Beji, L., El Jani, B., Gibart, P., Portal, J. C., & Basmaji, P. (1998). Hydrostatic pressure studies of GaAs tunnel diodes. Journal of Applied Physics, 83( 10), 5573-5575. doi:10.1063/1.367394 -
NLM
Beji L, El Jani B, Gibart P, Portal JC, Basmaji P. Hydrostatic pressure studies of GaAs tunnel diodes [Internet]. Journal of Applied Physics. 1998 ; 83( 10): 5573-5575.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.367394 -
Vancouver
Beji L, El Jani B, Gibart P, Portal JC, Basmaji P. Hydrostatic pressure studies of GaAs tunnel diodes [Internet]. Journal of Applied Physics. 1998 ; 83( 10): 5573-5575.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.367394 - Heteroestruturas 'AL''GA''AS' / 'GA''AS' com mobilidade 390 x'10 POT.3''CENTIMETROS QUADRADOS' / v.S crescidas por mbe
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Informações sobre o DOI: 10.1063/1.367394 (Fonte: oaDOI API)
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