Estudo da quantificação da rugosidade da interface Si-SiO2. (em CD-Rom) (1997)
- Autores:
- Autores USP: SANTOS FILHO, SEBASTIAO GOMES DOS - EP ; HASENACK, CLAUS MARTIN - EP
- Unidade: EP
- Assuntos: CIRCUITOS INTEGRADOS; SEMICONDUTORES
- Idioma: Português
- Imprenta:
- Editora: SBMICRO/EFEI
- Local: Itajubá
- Data de publicação: 1997
- Fonte:
- Título do periódico: Proceedings
- Nome do evento: Conference of the Brazilian Microelectronics Society
-
ABNT
LOPES, M C V et al. Estudo da quantificação da rugosidade da interface Si-SiO2. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 19 abr. 2024. -
APA
Lopes, M. C. V., Gejuiba, N., Santos Filho, S. G. dos, & Hasenack, C. M. (1997). Estudo da quantificação da rugosidade da interface Si-SiO2. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI. -
NLM
Lopes MCV, Gejuiba N, Santos Filho SG dos, Hasenack CM. Estudo da quantificação da rugosidade da interface Si-SiO2. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 abr. 19 ] -
Vancouver
Lopes MCV, Gejuiba N, Santos Filho SG dos, Hasenack CM. Estudo da quantificação da rugosidade da interface Si-SiO2. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 abr. 19 ] - Achievement of high quality thin gates oxides grown by rapid thermal oxidation of silicon
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