Caracterização de filmes obtidos a partir da deposição por plasma de hexametildissilazana (2000)
- Autores:
- Autor USP: NOGUEIRA, SANDRINO - EP
- Unidade: EP
- Sigla do Departamento: PSI
- Assunto: ENGENHARIA ELÉTRICA
- Idioma: Português
- Resumo: Este trabalho teve como finalidade o desenvolvimento de um processo de deposição de filmes adequados à fabricação de microcanais. Para tais filmes, deseja-se resistência à corrosão por ácidos e bases fortes e/ou propriedades de adsorção. Osfilmes foram fabricados utilizando-se o reagente hexametildissilazana (HMDS) no intuito de se obter polímeros com propriedades semelhantes ao silicone. A polimerização do HMDS foi obtida utilizando-se a deposição química a vapor, tendo comofonte de energia o plasma, tanto indutivo como capacitivo. Os filmes foram caracterizados por perfilometria, elipsometria, FTIR, microscopia Raman e a medida do ângulo de contato. Testes de corrosão úmida utilizaram soluções ácidas e básicas,com pH que variavam de 1 a 14. Verificou-se, também, a afinidade por compostos orgânicos numa larga faixa de polaridade. Filmes que apresentaram Si-CH'IND.3' com maior intensidade relativa foram testados como promotor de aderência parafotorresiste positivo. A adição de oxigênio, argônio e nitrogênio ao plasma foi utilizada para obter-se filmes com uma estrutura mais semelhante à do silicone, para favorecer filmes com o maior número de ligações cruzadas e tentar formarligações Si-N, respectivamente. Observou-se a formação de estruturas Si-N-Si e Si-CH'IND.2'-Si além de Si-CH'IND.3', cuja intensidade diminui drasticamente com o aumento da potência, devido a remoção de compostos carbônicos do filme. Adição deAr e N'IND.2' ao plasma favorece a formação daestrutura Si-CH'IND.2'-Si e Si-N-Si em detrimento de Si-CH'IND.3' enquanto que O'IND.2' remove tanto Si-N-Si quanto Si-CH'IND.3'. Os filmes, de modo geral, apresentaram-se resistentes a ácidos ebases mas não a compostos orgânicos (ângulo de contato zero). Os filmes mais resistentes a HF são aqueles onde a intensidade relativa de Si- 'CH IND.3' é maior ou aqueles fabricados a partir de HMDS + 'O IND.2' ou HMDS + Ar. O filme obtido porpolimerização ) de HMDS permite a adesão de fotorresiste a substratos de vidro, o mesmo não ocorrendo com o filme obtido por HMDS + 'O IND.2'
- Imprenta:
- Data da defesa: 04.02.2000
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ABNT
NOGUEIRA, Sandrino. Caracterização de filmes obtidos a partir da deposição por plasma de hexametildissilazana. 2000. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2000. . Acesso em: 20 abr. 2024. -
APA
Nogueira, S. (2000). Caracterização de filmes obtidos a partir da deposição por plasma de hexametildissilazana (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. -
NLM
Nogueira S. Caracterização de filmes obtidos a partir da deposição por plasma de hexametildissilazana. 2000 ;[citado 2024 abr. 20 ] -
Vancouver
Nogueira S. Caracterização de filmes obtidos a partir da deposição por plasma de hexametildissilazana. 2000 ;[citado 2024 abr. 20 ]
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