Reflectivity modeling of Si-based amorphous superlattices (2000)
- Autores:
- Autor USP: FANTINI, MARCIA CARVALHO DE ABREU - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1006/spmi.2000.0902
- Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA; QUÍMICA
- Idioma: Inglês
- Imprenta:
- Fonte:
- Título do periódico: Superlattices and Microstructures
- ISSN: 0749-6036
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 28, n. 3, p. 207-215, 2000
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
ZEBALLOS-VELASQUEZ, E L e MONCADA L, H e FANTINI, Márcia Carvalho de Abreu. Reflectivity modeling of Si-based amorphous superlattices. Superlattices and Microstructures, v. 28, n. 3, p. 207-215, 2000Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1006/spmi.2000.0902. Acesso em: 28 mar. 2024. -
APA
Zeballos-Velasquez, E. L., Moncada L, H., & Fantini, M. C. de A. (2000). Reflectivity modeling of Si-based amorphous superlattices. Superlattices and Microstructures, 28( 3), 207-215. doi:10.1006/spmi.2000.0902 -
NLM
Zeballos-Velasquez EL, Moncada L H, Fantini MC de A. Reflectivity modeling of Si-based amorphous superlattices [Internet]. Superlattices and Microstructures. 2000 ; 28( 3): 207-215.[citado 2024 mar. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1006/spmi.2000.0902 -
Vancouver
Zeballos-Velasquez EL, Moncada L H, Fantini MC de A. Reflectivity modeling of Si-based amorphous superlattices [Internet]. Superlattices and Microstructures. 2000 ; 28( 3): 207-215.[citado 2024 mar. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1006/spmi.2000.0902 - Synthesis, characterization and electrochromic properties of 'NiO IND.X''H IND.X' thin film prepared by a sol-gel method
- Structure of 'Si/Ge' superlattices
- Corrosion and passivation of permally thin films
- Fitas supercondutoras de 'BI'-'PB'-'SR'-'CA'-'CU'-o: a dependencia das propriedades morfologicas com o processo de sinterizacao
- Filmes finos de oxido de indio dopado com estanho (ito): crescimento e caracterizacao
- Valence bands studies of electrochromic 'NI''O IND.X' thin films
- Variacoes nas propriedades estruturais de filmes finos eletrocromicos - a influencia do ion de intercalacao
- Espectroscopia da impedancia e de modulacao optica de dispositivos do tipo barreira schottky e mos de silicio
- Propriedades eletrocromicas e estruturais de filmes finos de oxido de niquel crescidos por rf-sputtering
- Determinacao de parametros estruturais de super-redes de 'SI' / 'GE'
Informações sobre o DOI: 10.1006/spmi.2000.0902 (Fonte: oaDOI API)
Como citar
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas