Diodes model for the leakage drain current in enhancement-mode SOI nMOSFETs at 300 GRAUS C (2000)
- Autores:
- Autor USP: MARTINO, JOÃO ANTONIO - EP
- Unidade: EP
- Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
- Idioma: Inglês
- Imprenta:
- Editora: SBMicro/UA/UFRGS/UNICAMP/USP
- Local: Manaus
- Data de publicação: 2000
- Fonte:
- Título do periódico: SBMicro 2000 : proceedings
- Nome do evento: International Conference on Microelectronics and Packaging
-
ABNT
BELLODI, Marcello et al. Diodes model for the leakage drain current in enhancement-mode SOI nMOSFETs at 300 GRAUS C. 2000, Anais.. Manaus: SBMicro/UA/UFRGS/UNICAMP/USP, 2000. . Acesso em: 24 abr. 2024. -
APA
Bellodi, M., Iniguez, B., Flandre, D., & Martino, J. A. (2000). Diodes model for the leakage drain current in enhancement-mode SOI nMOSFETs at 300 GRAUS C. In SBMicro 2000 : proceedings. Manaus: SBMicro/UA/UFRGS/UNICAMP/USP. -
NLM
Bellodi M, Iniguez B, Flandre D, Martino JA. Diodes model for the leakage drain current in enhancement-mode SOI nMOSFETs at 300 GRAUS C. SBMicro 2000 : proceedings. 2000 ;[citado 2024 abr. 24 ] -
Vancouver
Bellodi M, Iniguez B, Flandre D, Martino JA. Diodes model for the leakage drain current in enhancement-mode SOI nMOSFETs at 300 GRAUS C. SBMicro 2000 : proceedings. 2000 ;[citado 2024 abr. 24 ] - Temperature influences on the drain leakage current behavior in graded-channel SOI nMOSFETs
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