Remoção de carbeto de silício amorfo (A-SIC) em plasma CHF3/O2 para fabricação de dispositivos acústicos (2000)
- Autores:
- Autores USP: CARRENO, MARCELO NELSON PAEZ - EP ; CUNHA, MAURICIO PEREIRA DA - EP
- Unidade: EP
- Assuntos: SILÍCIO; SEMICONDUTORES
- Idioma: Português
- Imprenta:
- Fonte:
- Título do periódico: SICUSP : Resumos
- Nome do evento: Simpósio Internacional de Iniciação Científica da USP
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ABNT
NAKANO, A. Y. e PAEZ CARREÑO, Marcelo Nelson e CUNHA, Maurício Pereira da. Remoção de carbeto de silício amorfo (A-SIC) em plasma CHF3/O2 para fabricação de dispositivos acústicos. 2000, Anais.. São Paulo: USP, 2000. . Acesso em: 19 abr. 2024. -
APA
Nakano, A. Y., Paez Carreño, M. N., & Cunha, M. P. da. (2000). Remoção de carbeto de silício amorfo (A-SIC) em plasma CHF3/O2 para fabricação de dispositivos acústicos. In SICUSP : Resumos. São Paulo: USP. -
NLM
Nakano AY, Paez Carreño MN, Cunha MP da. Remoção de carbeto de silício amorfo (A-SIC) em plasma CHF3/O2 para fabricação de dispositivos acústicos. SICUSP : Resumos. 2000 ;[citado 2024 abr. 19 ] -
Vancouver
Nakano AY, Paez Carreño MN, Cunha MP da. Remoção de carbeto de silício amorfo (A-SIC) em plasma CHF3/O2 para fabricação de dispositivos acústicos. SICUSP : Resumos. 2000 ;[citado 2024 abr. 19 ] - Extended investigation on high velocity pseudo surface waves
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