Dopagem tipo N de filmes de carbeto de silício obtido por PECVD (2000)
- Autores:
- Autor USP: CARRENO, MARCELO NELSON PAEZ - EP
- Unidade: EP
- Assuntos: SILÍCIO; SEMICONDUTORES
- Idioma: Português
- Imprenta:
- Fonte:
- Título do periódico: SICUSP : resumos
- Nome do evento: Simpósio Internacional de Iniciação Científica da USP
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ABNT
OLIVEIRA, R. A. R. e PAEZ CARREÑO, Marcelo Nelson. Dopagem tipo N de filmes de carbeto de silício obtido por PECVD. 2000, Anais.. São Paulo: USP, 2000. . Acesso em: 24 abr. 2024. -
APA
Oliveira, R. A. R., & Paez Carreño, M. N. (2000). Dopagem tipo N de filmes de carbeto de silício obtido por PECVD. In SICUSP : resumos. São Paulo: USP. -
NLM
Oliveira RAR, Paez Carreño MN. Dopagem tipo N de filmes de carbeto de silício obtido por PECVD. SICUSP : resumos. 2000 ;[citado 2024 abr. 24 ] -
Vancouver
Oliveira RAR, Paez Carreño MN. Dopagem tipo N de filmes de carbeto de silício obtido por PECVD. SICUSP : resumos. 2000 ;[citado 2024 abr. 24 ] - Formation of 3C-SIC films on silicon by thermal annealing process
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