Photoluminescence from quantum dots in cubic GaN/InGaN/GaN double heterostructure (2001)
- Autores:
- Autor USP: LEITE, JOSE ROBERTO - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1063/1.1396314
- Assunto: FOTOLUMINESCÊNCIA
- Idioma: Inglês
- Imprenta:
- Fonte:
- Título do periódico: Applied Physics Letters
- ISSN: 0003-6951
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 79, n. 9, p. 1243-1245, 2001
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
HUSBERG, O et al. Photoluminescence from quantum dots in cubic GaN/InGaN/GaN double heterostructure. Applied Physics Letters, v. 79, n. 9, p. 1243-1245, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1396314. Acesso em: 24 abr. 2024. -
APA
Husberg, O., Khartchenko, A., As, D. J., Vogelsang, H., Frey, T., Schikora, D., et al. (2001). Photoluminescence from quantum dots in cubic GaN/InGaN/GaN double heterostructure. Applied Physics Letters, 79( 9), 1243-1245. doi:10.1063/1.1396314 -
NLM
Husberg O, Khartchenko A, As DJ, Vogelsang H, Frey T, Schikora D, Noriega OC, Tabata A, Leite JR. Photoluminescence from quantum dots in cubic GaN/InGaN/GaN double heterostructure [Internet]. Applied Physics Letters. 2001 ; 79( 9): 1243-1245.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1396314 -
Vancouver
Husberg O, Khartchenko A, As DJ, Vogelsang H, Frey T, Schikora D, Noriega OC, Tabata A, Leite JR. Photoluminescence from quantum dots in cubic GaN/InGaN/GaN double heterostructure [Internet]. Applied Physics Letters. 2001 ; 79( 9): 1243-1245.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1396314 - Impurezas substitucionais em silicio: serie de atomos 5d
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Informações sobre o DOI: 10.1063/1.1396314 (Fonte: oaDOI API)
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