First-principles studies of Ti impurities in SiC (2001)
- Autores:
- Autor USP: ASSALI, LUCY VITORIA CREDIDIO - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1016/s0921-4526(01)00885-7
- Assuntos: METAIS; NÃO METAIS; ESTRUTURA ELETRÔNICA
- Idioma: Inglês
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- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
BARBOSA, K O e MACHADO, Wanda Valle Marcondes e ASSALI, L. V. C. First-principles studies of Ti impurities in SiC. Physica B, v. 308, p. 726-729, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00885-7. Acesso em: 23 abr. 2024. -
APA
Barbosa, K. O., Machado, W. V. M., & Assali, L. V. C. (2001). First-principles studies of Ti impurities in SiC. Physica B, 308, 726-729. doi:10.1016/s0921-4526(01)00885-7 -
NLM
Barbosa KO, Machado WVM, Assali LVC. First-principles studies of Ti impurities in SiC [Internet]. Physica B. 2001 ; 308 726-729.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00885-7 -
Vancouver
Barbosa KO, Machado WVM, Assali LVC. First-principles studies of Ti impurities in SiC [Internet]. Physica B. 2001 ; 308 726-729.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00885-7 - Electronic structure of erbium centers in silicon
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Informações sobre o DOI: 10.1016/s0921-4526(01)00885-7 (Fonte: oaDOI API)
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