Electronic structure of light emitting centers in Er doped Si (2003)
- Authors:
- Autor USP: ASSALI, LUCY VITORIA CREDIDIO - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1007/s00339-002-1990-7
- Subjects: SEMICONDUTORES; LUMINESCÊNCIA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Applied Physics A-Materials Science & Processing
- ISSN: 0947-8396
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 76, n. 6, p. 991-997, 2003
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
ASSALI, L. V. C. et al. Electronic structure of light emitting centers in Er doped Si. Applied Physics A-Materials Science & Processing, v. 76, n. 6, p. 991-997, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1007/s00339-002-1990-7. Acesso em: 23 abr. 2024. -
APA
Assali, L. V. C., Gan, F., Kimberling, L. C., & Justo Filho, J. F. (2003). Electronic structure of light emitting centers in Er doped Si. Applied Physics A-Materials Science & Processing, 76( 6), 991-997. doi:10.1007/s00339-002-1990-7 -
NLM
Assali LVC, Gan F, Kimberling LC, Justo Filho JF. Electronic structure of light emitting centers in Er doped Si [Internet]. Applied Physics A-Materials Science & Processing. 2003 ; 76( 6): 991-997.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1007/s00339-002-1990-7 -
Vancouver
Assali LVC, Gan F, Kimberling LC, Justo Filho JF. Electronic structure of light emitting centers in Er doped Si [Internet]. Applied Physics A-Materials Science & Processing. 2003 ; 76( 6): 991-997.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1007/s00339-002-1990-7 - Electronic structure of erbium centers in silicon
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Informações sobre o DOI: 10.1007/s00339-002-1990-7 (Fonte: oaDOI API)
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