The interaction of point defects with a 90 'GRAUS' partial dislocation in Si (2003)
- Autores:
- Autor USP: FAZZIO, ADALBERTO - IF
- Unidade: IF
- Assunto: SEMICONDUTORES
- Idioma: Inglês
- Imprenta:
- Editora: Elsevier Science
- Local: Amsterdam
- Data de publicação: 2003
- Fonte:
- Título do periódico: Book of Abstracts II (Poster)
- Volume/Número/Paginação/Ano: Amsterdam : Elsevier Science, 2003
- Nome do evento: International Conference on Defects in Semiconductors
-
ABNT
SCHMIDT, T M e ARANTES JUNIOR, Jeverson Teodoro e FAZZIO, Adalberto. The interaction of point defects with a 90 'GRAUS' partial dislocation in Si. 2003, Anais.. Amsterdam: Elsevier Science, 2003. . Acesso em: 18 abr. 2024. -
APA
Schmidt, T. M., Arantes Junior, J. T., & Fazzio, A. (2003). The interaction of point defects with a 90 'GRAUS' partial dislocation in Si. In Book of Abstracts II (Poster). Amsterdam: Elsevier Science. -
NLM
Schmidt TM, Arantes Junior JT, Fazzio A. The interaction of point defects with a 90 'GRAUS' partial dislocation in Si. Book of Abstracts II (Poster). 2003 ;[citado 2024 abr. 18 ] -
Vancouver
Schmidt TM, Arantes Junior JT, Fazzio A. The interaction of point defects with a 90 'GRAUS' partial dislocation in Si. Book of Abstracts II (Poster). 2003 ;[citado 2024 abr. 18 ] - Spectral distribution of photoionization cross section of 'FE POT.2+' in inp: 'FE'
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