Propriedades elétricas e ópticas de junções p-i-n de materiais semicondutores III-V sobre substratos de GaAs orientados nas direções [311]A e [211]A (2003)
- Authors:
- Autor USP: OLIVEIRA, RODRIGO MARQUES DE - IFSC
- Unidade: IFSC
- Sigla do Departamento: FCM
- Assunto: SEMICONDUTORES
- Language: Português
- Abstract: Neste trabalho foram processados e caracterizados dispositivos emissores de luz (LED's) baseados em estruturas p-i-n a partir de filmes de GaAs dopados unicamente com Silício e crescidos através da técnica de Epitaxia de Feixes Moleculares sobre substratos de GaAs orientados nas superfícies (311)A e (211)A. Nas superfícies (311)A e (211)A, o Si tem comportamento anfótero, ou seja, pode ocupar tanto o sítio do Ga como o do As, o que resulta em filmes com portadores tipo n e p, respectivamente. As características elétricas dos filmes dependem das seguintes condições de crescimento: i) razão entre os fluxos de Ga e As; e ii) temperatura do substrato. As técnicas de caracterização utilizadas foram fundamentalmente: Fotoluminescência, Eletroluminescência, IxV (corrente-tensão) e Efeito Hall.Os dispositivos p-i-n foram processados a partir de técnicas convencionais de fotolitografia e caracterizados a partir das técnicas de IxV e Eletroluminescência. Os dispositivos estudados foram produzidos a partir de camadas de GaAs e AlGaAs crescidas nas direções [311]A e [211]A. Os dispositivos obtidos a partir de filmes dopados de GaAs apresentaram uma boa eficiência de emissão, porém apresentaram perdas ôhmicas ocasionadas pela natureza da junção obtida nestes planos, ocasionada por defeitos, principalmente nos filmes dopados tipo n que são crescidos em condições extremas de temperatura e pressão de arsênio. Os dispositivos a base de AlGaAsapresentaram baixa eficiência e altas perdas, relacionadas com a alta compensação apresentada pelos filmes.Foram testados também dispositivos com heteroestruturas na camada intrínseca, apresentando resultados satisfatórios
- Imprenta:
- Publisher place: São Carlos
- Date published: 2003
- Data da defesa: 15.12.2003
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ABNT
OLIVEIRA, Rodrigo Marques de. Propriedades elétricas e ópticas de junções p-i-n de materiais semicondutores III-V sobre substratos de GaAs orientados nas direções [311]A e [211]A. 2003. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 2003. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-12032004-144417/. Acesso em: 19 abr. 2024. -
APA
Oliveira, R. M. de. (2003). Propriedades elétricas e ópticas de junções p-i-n de materiais semicondutores III-V sobre substratos de GaAs orientados nas direções [311]A e [211]A (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-12032004-144417/ -
NLM
Oliveira RM de. Propriedades elétricas e ópticas de junções p-i-n de materiais semicondutores III-V sobre substratos de GaAs orientados nas direções [311]A e [211]A [Internet]. 2003 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-12032004-144417/ -
Vancouver
Oliveira RM de. Propriedades elétricas e ópticas de junções p-i-n de materiais semicondutores III-V sobre substratos de GaAs orientados nas direções [311]A e [211]A [Internet]. 2003 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-12032004-144417/
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