Improving of the p-type doping by carbon in cubic GaN samples under Ga-rich growth conditions (2003)
- Autores:
- Autor USP: LEITE, JOSE ROBERTO - IF
- Unidade: IF
- Assuntos: MATERIAIS; MATÉRIA CONDENSADA; ESTRUTURA ELETRÔNICA
- Idioma: Inglês
- Imprenta:
- Editora: SBPMat
- Local: Rio de Janeiro
- Data de publicação: 2003
- Fonte:
- Título do periódico: Programa e Libro de Resumos
- Nome do evento: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais
-
ABNT
PACHECO-SALAZAR, D G et al. Improving of the p-type doping by carbon in cubic GaN samples under Ga-rich growth conditions. 2003, Anais.. Rio de Janeiro: SBPMat, 2003. . Acesso em: 18 abr. 2024. -
APA
Pacheco-Salazar, D. G., Leite, J. R., As, D. J., Potthast, A., & Lischka, K. (2003). Improving of the p-type doping by carbon in cubic GaN samples under Ga-rich growth conditions. In Programa e Libro de Resumos. Rio de Janeiro: SBPMat. -
NLM
Pacheco-Salazar DG, Leite JR, As DJ, Potthast A, Lischka K. Improving of the p-type doping by carbon in cubic GaN samples under Ga-rich growth conditions. Programa e Libro de Resumos. 2003 ;[citado 2024 abr. 18 ] -
Vancouver
Pacheco-Salazar DG, Leite JR, As DJ, Potthast A, Lischka K. Improving of the p-type doping by carbon in cubic GaN samples under Ga-rich growth conditions. Programa e Libro de Resumos. 2003 ;[citado 2024 abr. 18 ] - Propriedades eletronicas dos complexos ouro substitucional-metal de transicao intersticial em silicio
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