Estudo da vacância induzida em nanotubo (2004)
- Autores:
- Autor USP: FAZZIO, ADALBERTO - IF
- Unidade: IF
- Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA; SEMICONDUTIVIDADE; NANOTECNOLOGIA
- Idioma: Português
- Imprenta:
- Fonte:
- Título do periódico: Resumos
- Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Matéria Condensada
-
ABNT
ROSSATO, Jussane et al. Estudo da vacância induzida em nanotubo. 2004, Anais.. São Paulo: SBF, 2004. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0791-1.pdf. Acesso em: 07 maio 2024. -
APA
Rossato, J., Mota, R., Baierle, R. J., & Fazzio, A. (2004). Estudo da vacância induzida em nanotubo. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0791-1.pdf -
NLM
Rossato J, Mota R, Baierle RJ, Fazzio A. Estudo da vacância induzida em nanotubo [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 maio 07 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0791-1.pdf -
Vancouver
Rossato J, Mota R, Baierle RJ, Fazzio A. Estudo da vacância induzida em nanotubo [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 maio 07 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0791-1.pdf - Correcao de auto-interacao no espalhamento multiplo-ms-x'ALFA'
- Charge state stability of transition metals in semiconductors: negative u
- Charge state stability of transition metal in semiconductors: negative u
- Defeitos nativos em 'GA''AS': estabilidade de carga e energias de excitação e ionização
- Theoretical study of defect complexes related with antisities in GaAs
- Absorption spectra of clusters of 'K IND.3' 'C IND.60'
- Ab initio calculation of electronic properties of periodically 'SI'-'DELTA'-doped 'GA''AS'
- Local reactivity of 'GA''AS' [110] surface in interaction with atoms
- Propriedades eletronicas e estruturais do nitrogenio em germanio amorfo
- 2005 - O ano Mundial da Física
Como citar
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
