Fabricação de um Ion Sensitive-FET à base de germânio amorfo hidrogenado para aplicações médicas (2004)
- Autores:
- Autores USP: MULATO, MARCELO - FFCLRP ; MAREGA JUNIOR, EUCLYDES - IFSC
- Unidades: FFCLRP; IFSC
- Assunto: SEMICONDUTORES
- Idioma: Português
- Imprenta:
- Editora: Sociedade Brasileira de Física
- Local: São Paulo
- Data de publicação: 2004
- Fonte:
- Título do periódico: Resumos
- Volume/Número/Paginação/Ano: São Paulo : Sociedade Brasileira de Física, 2004
- Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada
-
ABNT
FERREIRA, Ernando Silva et al. Fabricação de um Ion Sensitive-FET à base de germânio amorfo hidrogenado para aplicações médicas. 2004, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2004. . Acesso em: 24 abr. 2024. -
APA
Ferreira, E. S., Mulato, M., Marega Júnior, E., & Marques, F. das C. [F. das C. M. - erro de impressão]. (2004). Fabricação de um Ion Sensitive-FET à base de germânio amorfo hidrogenado para aplicações médicas. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. -
NLM
Ferreira ES, Mulato M, Marega Júnior E, Marques F das C [F das CM- erro de impressão]. Fabricação de um Ion Sensitive-FET à base de germânio amorfo hidrogenado para aplicações médicas. Resumos. 2004 ;[citado 2024 abr. 24 ] -
Vancouver
Ferreira ES, Mulato M, Marega Júnior E, Marques F das C [F das CM- erro de impressão]. Fabricação de um Ion Sensitive-FET à base de germânio amorfo hidrogenado para aplicações médicas. Resumos. 2004 ;[citado 2024 abr. 24 ] - Extended gate field effect transistor using 'V IND.2''O IND.5' xerogel sensing membrane by sol-gel method
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