Adsorption and decomposition of acetone onSi(001) (2004)
- Authors:
- Autor USP: FERRAZ, ARMANDO CORBANI - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1016/j.apsusc.2004.05.090
- Subjects: MATÉRIA CONDENSADA; SEMICONDUTORES
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Applied Surface Science,
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 234, n. 1-4, p. 185-189, 2004
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
FERRAZ, A. C. e MIOTTO, R. Adsorption and decomposition of acetone onSi(001). Applied Surface Science, v. 234, n. 1-4, p. 185-189, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2004.05.090. Acesso em: 23 abr. 2024. -
APA
Ferraz, A. C., & Miotto, R. (2004). Adsorption and decomposition of acetone onSi(001). Applied Surface Science,, 234( 1-4), 185-189. doi:10.1016/j.apsusc.2004.05.090 -
NLM
Ferraz AC, Miotto R. Adsorption and decomposition of acetone onSi(001) [Internet]. Applied Surface Science,. 2004 ; 234( 1-4): 185-189.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2004.05.090 -
Vancouver
Ferraz AC, Miotto R. Adsorption and decomposition of acetone onSi(001) [Internet]. Applied Surface Science,. 2004 ; 234( 1-4): 185-189.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2004.05.090 - Atomic geometries of iii-v compound semiconductor surfaces by total energy and force methods
- Interface geometry of ' ('ga''as') IND.N'' ('in''as') IND.N' and ' ('ga'P) IND.N'' ('in'P) IND.N' ultra-thin superlattices
- Electronic properties and stability of [001] 'GA''AS' / 'IN''AS', 'GA'p / 'IN'p,'GA IND.1-X''IN IND.X''AS' / 'GA''AS' ('IN''AS') and 'GA IND.1-X''IN IND.X'p / 'GA'p ('IN'p)
- Entalpia de formacao e estrutura eletronica de super-redes ultrafinas de iii-v / iv
- Estudo de pseudopotenciais de primeiros principios e sua aplicacao em semicondutores ii-vi
- Estados eletronicos e estrutura atomica da interface znse / znte (001)
- Estudo teorico da acao surfactante do 'TE' no crescimento de 'IN''AS': 'GA''AS'
- Ab initio study of the GaAs(001)-In(4 X 2) surface
- Oxygen adsorption on CdTe(110)
- Role of generalized-gradient approximation in structural and electronic properties of bulk and surface of 'BETA'-GaN and GaAs
Informações sobre o DOI: 10.1016/j.apsusc.2004.05.090 (Fonte: oaDOI API)
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
