The role of the AlGaAs doping level on the optical gain of two-dimensional electron gas photodetectors (2004)
- Authors:
- Autor USP: ROMERO, MURILO ARAUJO - EESC
- Unidade: EESC
- DOI: 10.1007/s11664-004-0281-9
- Subjects: COMUNICAÇÕES OPTO-ELETRÔNICAS; TRANSISTORES; SEMICONDUTORES; MICROELETRÔNICA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher place: Piscataway
- Date published: 2004
- Source:
- Título do periódico: Journal of Electronic Materials
- ISSN: 0361-5235
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 33, n. 2, p. 123-127, Feb. 2004
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
NABET, Bahram et al. The role of the AlGaAs doping level on the optical gain of two-dimensional electron gas photodetectors. Journal of Electronic Materials, v. 33, n. 2, p. 123-127, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1007/s11664-004-0281-9. Acesso em: 24 abr. 2024. -
APA
Nabet, B., Romero, M. A., Cola, A., & Quaranta, F. (2004). The role of the AlGaAs doping level on the optical gain of two-dimensional electron gas photodetectors. Journal of Electronic Materials, 33( 2), 123-127. doi:10.1007/s11664-004-0281-9 -
NLM
Nabet B, Romero MA, Cola A, Quaranta F. The role of the AlGaAs doping level on the optical gain of two-dimensional electron gas photodetectors [Internet]. Journal of Electronic Materials. 2004 ; 33( 2): 123-127.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1007/s11664-004-0281-9 -
Vancouver
Nabet B, Romero MA, Cola A, Quaranta F. The role of the AlGaAs doping level on the optical gain of two-dimensional electron gas photodetectors [Internet]. Journal of Electronic Materials. 2004 ; 33( 2): 123-127.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1007/s11664-004-0281-9 - Analysis of a proposed dropping filter for WDM systems
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Informações sobre o DOI: 10.1007/s11664-004-0281-9 (Fonte: oaDOI API)
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