Real-time RHEED investigation of indium segregation in InGaAs layers grown on vicinal GaAs (001) substrates (2005)
- Autores:
- Autores USP: QUIVY, ALAIN ANDRE - IF ; SILVA, EUZI CONCEICAO FERNANDES DA - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1103/physrevb.72.153304
- Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA; POÇOS QUÂNTICOS; ESTRUTURA ELETRÔNICA
- Idioma: Inglês
- Imprenta:
- Fonte:
- Título do periódico: Physical Review B
- ISSN: 1098-0121
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 72, n. 15, p. 153304/01-153304/04, 2005
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
MARTINI, S et al. Real-time RHEED investigation of indium segregation in InGaAs layers grown on vicinal GaAs (001) substrates. Physical Review B, v. 72, n. 15, p. 153304/01-153304/04, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.72.153304. Acesso em: 04 maio 2024. -
APA
Martini, S., Quivy, A. A., Lamas, T. E., & Silva, E. C. F. da. (2005). Real-time RHEED investigation of indium segregation in InGaAs layers grown on vicinal GaAs (001) substrates. Physical Review B, 72( 15), 153304/01-153304/04. doi:10.1103/physrevb.72.153304 -
NLM
Martini S, Quivy AA, Lamas TE, Silva ECF da. Real-time RHEED investigation of indium segregation in InGaAs layers grown on vicinal GaAs (001) substrates [Internet]. Physical Review B. 2005 ; 72( 15): 153304/01-153304/04.[citado 2024 maio 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.72.153304 -
Vancouver
Martini S, Quivy AA, Lamas TE, Silva ECF da. Real-time RHEED investigation of indium segregation in InGaAs layers grown on vicinal GaAs (001) substrates [Internet]. Physical Review B. 2005 ; 72( 15): 153304/01-153304/04.[citado 2024 maio 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.72.153304 - Estudo dos modelos de ajuste da variaão do "gap" com a temperatura em GaAs "bulk"
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Informações sobre o DOI: 10.1103/physrevb.72.153304 (Fonte: oaDOI API)
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