Photoluminescence measurements on cubic InGaN layers deposited on a SiC substrate (2006)
- Autores:
- Autor USP: LEITE, JOSE ROBERTO - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1088/0268-1242/21/7/003
- Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA; ESPALHAMENTO
- Idioma: Inglês
- Imprenta:
- Fonte:
- Título do periódico: Semiconductor Science and Technology
- ISSN: 0268-1242
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 21, n. 7, p. 846-851, 2006
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
PACHECO-SALAZAR, D G et al. Photoluminescence measurements on cubic InGaN layers deposited on a SiC substrate. Semiconductor Science and Technology, v. 21, n. 7, p. 846-851, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0268-1242/21/7/003. Acesso em: 19 abr. 2024. -
APA
Pacheco-Salazar, D. G., Leite, J. R., Cerdeira, F., Meneses, E. A., Li, S. F., As, D. J., & Lischka, K. (2006). Photoluminescence measurements on cubic InGaN layers deposited on a SiC substrate. Semiconductor Science and Technology, 21( 7), 846-851. doi:10.1088/0268-1242/21/7/003 -
NLM
Pacheco-Salazar DG, Leite JR, Cerdeira F, Meneses EA, Li SF, As DJ, Lischka K. Photoluminescence measurements on cubic InGaN layers deposited on a SiC substrate [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2006 ; 21( 7): 846-851.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/21/7/003 -
Vancouver
Pacheco-Salazar DG, Leite JR, Cerdeira F, Meneses EA, Li SF, As DJ, Lischka K. Photoluminescence measurements on cubic InGaN layers deposited on a SiC substrate [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2006 ; 21( 7): 846-851.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/21/7/003 - Propriedades eletronicas dos complexos ouro substitucional-metal de transicao intersticial em silicio
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Informações sobre o DOI: 10.1088/0268-1242/21/7/003 (Fonte: oaDOI API)
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