SOI technology characterization using SOI-MOS capacitor (2005)
- Authors:
- Autor USP: MARTINO, JOÃO ANTONIO - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.1016/j.sse.2004.06.010
- Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Solid-State Electronics
- ISSN: 0038-1101
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
SONNENBERG, Victor e MARTINO, João Antonio. SOI technology characterization using SOI-MOS capacitor. Solid-State Electronics, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2004.06.010. Acesso em: 19 abr. 2024. -
APA
Sonnenberg, V., & Martino, J. A. (2005). SOI technology characterization using SOI-MOS capacitor. Solid-State Electronics. doi:10.1016/j.sse.2004.06.010 -
NLM
Sonnenberg V, Martino JA. SOI technology characterization using SOI-MOS capacitor [Internet]. Solid-State Electronics. 2005 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2004.06.010 -
Vancouver
Sonnenberg V, Martino JA. SOI technology characterization using SOI-MOS capacitor [Internet]. Solid-State Electronics. 2005 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2004.06.010 - Temperature influences on the drain leakage current behavior in graded-channel SOI nMOSFETs
- Projeto de processos de fabricação avançados aplicáveis nas tecnologias CMOS micrométricas
- Analysis of the linear kink effect in partially depleted SOI nMOSFETs
- Simple method to extract the length dependent mobility degradation factor at 77 K
- Mobility degradation influence on the SOI MOSFET channel length extraction at 77K
- Low temperature and channel engineering influence on harmonic distortion of soi nmosfets for analog applications
- Analysis of the capacitance vs. voltage in graded channel SOI capacitor
- A simple technique to reduce the influence of the series resistance on the BULK and SOI MOSFET parameter extraction
- Metodo simples para a obtencao da densidade de armadilhas na primeira e segunda interface em soi-mosfet
- Simple method for the determination of the interface trap density at 77k in fully depleted acumulation mode soi mosfets
Informações sobre o DOI: 10.1016/j.sse.2004.06.010 (Fonte: oaDOI API)
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
