Development of planar microfluxgates using FeNi and FeNiCo electrodeposited cores (2009)
- Autores:
- Autor USP: MULATO, MARCELO - FFCLRP
- Unidade: FFCLRP
- Assunto: FÍSICA
- Idioma: Inglês
- Imprenta:
- Local: Rio de Janeiro
- Data de publicação: 2009
- Fonte:
- Título do periódico: Abstracts
- Nome do evento: International Conference on Advanced Materials (ICAM)
-
ABNT
HEIMFARTH, Tobias e MULATO, Marcelo. Development of planar microfluxgates using FeNi and FeNiCo electrodeposited cores. 2009, Anais.. Rio de Janeiro: Faculdade de Filosofia, Ciências e Letras de Ribeirão Preto, Universidade de São Paulo, 2009. . Acesso em: 24 abr. 2024. -
APA
Heimfarth, T., & Mulato, M. (2009). Development of planar microfluxgates using FeNi and FeNiCo electrodeposited cores. In Abstracts. Rio de Janeiro: Faculdade de Filosofia, Ciências e Letras de Ribeirão Preto, Universidade de São Paulo. -
NLM
Heimfarth T, Mulato M. Development of planar microfluxgates using FeNi and FeNiCo electrodeposited cores. Abstracts. 2009 ;[citado 2024 abr. 24 ] -
Vancouver
Heimfarth T, Mulato M. Development of planar microfluxgates using FeNi and FeNiCo electrodeposited cores. Abstracts. 2009 ;[citado 2024 abr. 24 ] - Extended gate field effect transistor using 'V IND.2''O IND.5' xerogel sensing membrane by sol-gel method
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