Ion beam assisted deposition of an organic light emitting diode electrode (2010)
- Authors:
- USP affiliated authors: CHUBACI, JOSE FERNANDO DINIZ - IF ; MATSUOKA, MASAO - IF ; FARIA, ROBERTO MENDONÇA - IFSC ; GUIMARAES, FRANCISCO EDUARDO GONTIJO - IFSC
- Unidades: IF; IFSC
- DOI: 10.1016/j.surfcoat.2010.01.014
- Subjects: ÍONS (ESTUDO); POLÍMEROS (MATERIAIS); EMISSÃO DA LUZ; DIODOS
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Surface and Coatings Technology
- ISSN: 0257-8972
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 204, n. 18/19, p. 3096-3099, June 2010
- Conference titles: International Workshop on Plasma-Based Ion Implantation and Deposition
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo é de acesso aberto
- URL de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: hybrid
- Licença: publisher-specific-oa
-
ABNT
DIONYSIO, D. Olzon et al. Ion beam assisted deposition of an organic light emitting diode electrode. Surface and Coatings Technology. Lausanne: Elsevier. Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2010.01.014. Acesso em: 19 abr. 2024. , 2010 -
APA
Dionysio, D. O., Chubaci, J. F. D., Matsuoka, M., Faria, R. M., & Guimarães, F. E. G. (2010). Ion beam assisted deposition of an organic light emitting diode electrode. Surface and Coatings Technology. Lausanne: Elsevier. doi:10.1016/j.surfcoat.2010.01.014 -
NLM
Dionysio DO, Chubaci JFD, Matsuoka M, Faria RM, Guimarães FEG. Ion beam assisted deposition of an organic light emitting diode electrode [Internet]. Surface and Coatings Technology. 2010 ; 204( 18/19): 3096-3099.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2010.01.014 -
Vancouver
Dionysio DO, Chubaci JFD, Matsuoka M, Faria RM, Guimarães FEG. Ion beam assisted deposition of an organic light emitting diode electrode [Internet]. Surface and Coatings Technology. 2010 ; 204( 18/19): 3096-3099.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2010.01.014 - OLED with different metal/organic interface configuration
- Propriedades optoeletrôncias de interfaces híbridas metal/semicondutor orgânico preparadas por deposição assistida por feixes de íons (IBAD)
- Non-abrupt metal/organic interfaces prepared by ion beam assisted deposition (IBAD) for organic devices
- Propriedades optoeletrônicas de interfaces híbridas metal/semicondutor orgânico preparadas por deposição assistida por feixes de íons (IBAD)
- Study and characterization of thin films of CeOx produced by ion beam assited deposition
- Electro-optical characterization of non-abrupt metal/organic interfaces prepared by ion beam assisted deposition (IBAD)
- Filmes finos de oxidos(HfO2, CeO2, TiO2) para dispositivos eletrônicos fabricados por IBAD (Ions Beam Assisted for Deposition)
- Bulk properties of InN films determined by experiments and theory
- Thin film oxides produced by IBAD (ion beam assisted deposition)
- Caracterização de filmes finos de nitreto de índio para fabricação de sensores que operam na região do IR
Informações sobre o DOI: 10.1016/j.surfcoat.2010.01.014 (Fonte: oaDOI API)
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