Raman spectroscopy analysis of structural photoinduced changers in Ge'S IND.2'+'Ga IND.2'+'O IND.3' thin films (2010)
- Authors:
- USP affiliated authors: ZANATTA, ANTONIO RICARDO - IFSC ; LI, MAXIMO SIU - IFSC
- Unidade: IFSC
- DOI: 10.1016/j.cap.2010.05.005
- Subjects: ESPECTROSCOPIA RAMAN (ANÁLISE); FILMES FINOS
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Current Applied Physics
- ISSN: 1567-1739
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 10, n. 6, p. 1411-1415, Nov. 2010
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
MENDES, A. C. et al. Raman spectroscopy analysis of structural photoinduced changers in Ge'S IND.2'+'Ga IND.2'+'O IND.3' thin films. Current Applied Physics, v. No 2010, n. 6, p. 1411-1415, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.cap.2010.05.005. Acesso em: 28 mar. 2024. -
APA
Mendes, A. C., Maia, L. J. Q., Messaddeq, S. H., Messaddeq, Y., Zanatta, A. R., & Siu Li, M. (2010). Raman spectroscopy analysis of structural photoinduced changers in Ge'S IND.2'+'Ga IND.2'+'O IND.3' thin films. Current Applied Physics, No 2010( 6), 1411-1415. doi:10.1016/j.cap.2010.05.005 -
NLM
Mendes AC, Maia LJQ, Messaddeq SH, Messaddeq Y, Zanatta AR, Siu Li M. Raman spectroscopy analysis of structural photoinduced changers in Ge'S IND.2'+'Ga IND.2'+'O IND.3' thin films [Internet]. Current Applied Physics. 2010 ; No 2010( 6): 1411-1415.[citado 2024 mar. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.cap.2010.05.005 -
Vancouver
Mendes AC, Maia LJQ, Messaddeq SH, Messaddeq Y, Zanatta AR, Siu Li M. Raman spectroscopy analysis of structural photoinduced changers in Ge'S IND.2'+'Ga IND.2'+'O IND.3' thin films [Internet]. Current Applied Physics. 2010 ; No 2010( 6): 1411-1415.[citado 2024 mar. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.cap.2010.05.005 - Spectroscopic study of Nd-doped amorphous SiN films
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Informações sobre o DOI: 10.1016/j.cap.2010.05.005 (Fonte: oaDOI API)
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