Magnetoresistance effect in N-doped carbon nanotubes (2010)
- Autores:
- Autores USP: FAZZIO, ADALBERTO - IF ; SILVA, ANTONIO JOSE ROQUE DA - IF
- Unidade: IF
- Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
- Idioma: Inglês
- Imprenta:
- Fonte:
- Título do periódico: Resumo
- Nome do evento: Escola Brasileira de Estrutura Eletrônica
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ABNT
ALMEIDA, J M et al. Magnetoresistance effect in N-doped carbon nanotubes. 2010, Anais.. São Paulo: SBF, 2010. Disponível em: http://www.ebee-2010.ufabc.edu.br/programacao.html. Acesso em: 25 abr. 2024. -
APA
Almeida, J. M., Rocha, A. R., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2010). Magnetoresistance effect in N-doped carbon nanotubes. In Resumo. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.ebee-2010.ufabc.edu.br/programacao.html -
NLM
Almeida JM, Rocha AR, Fazzio A, Silva AJR da. Magnetoresistance effect in N-doped carbon nanotubes [Internet]. Resumo. 2010 ;[citado 2024 abr. 25 ] Available from: http://www.ebee-2010.ufabc.edu.br/programacao.html -
Vancouver
Almeida JM, Rocha AR, Fazzio A, Silva AJR da. Magnetoresistance effect in N-doped carbon nanotubes [Internet]. Resumo. 2010 ;[citado 2024 abr. 25 ] Available from: http://www.ebee-2010.ufabc.edu.br/programacao.html - Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'
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