Optical and morphological properties of large 'IN''AS'/'GA''AS' quantum dots (2011)
- Autores:
- Autor USP: QUIVY, ALAIN ANDRE - IF
- Unidade: IF
- Assunto: SEMICONDUTORES (FÍSICO-QUÍMICA)
- Idioma: Inglês
- Imprenta:
- Editora: SBF
- Local: Foz do Iguaçu
- Data de publicação: 2011
- Fonte:
- Título do periódico: Resumo
- Nome do evento: Econtro de Física
-
ABNT
ROSA, Ramon Gabriel Teixeira et al. Optical and morphological properties of large 'IN''AS'/'GA''AS' quantum dots. 2011, Anais.. Foz do Iguaçu: SBF, 2011. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R2731-1.pdf. Acesso em: 23 abr. 2024. -
APA
Rosa, R. G. T., Duarte, C. de A., Quivy, A. A., & Maia, A. D. B. (2011). Optical and morphological properties of large 'IN''AS'/'GA''AS' quantum dots. In Resumo. Foz do Iguaçu: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R2731-1.pdf -
NLM
Rosa RGT, Duarte C de A, Quivy AA, Maia ADB. Optical and morphological properties of large 'IN''AS'/'GA''AS' quantum dots [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 abr. 23 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R2731-1.pdf -
Vancouver
Rosa RGT, Duarte C de A, Quivy AA, Maia ADB. Optical and morphological properties of large 'IN''AS'/'GA''AS' quantum dots [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 abr. 23 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R2731-1.pdf - Programa de controle e tratamento de dados para um microscopio de tunelamento
- Medidas de efeito hall para determinacao da concentracao de portadores em amostras dopadas por mbe
- Microscopio de tonelamento operando no ar
- New method for studying semiconducting surfaces in air by scanning tunneling microscopy
- p-type doping of GaAs(001) layers grown by droplet-assisted MBE using silicon as a dopant
- Influence of barrier height and thickness on temperature dependence of excitonic transitions in coupled double quantum wells of 'Al IND.x' 'Ga IND.1-x' As/GaAs
- Influência das flutuações da composição química das barreiras sobre as recombinações excitônicas em poços quânticos de 'Al IND.X' Ga IND.1-X' As/GaAs
- Crescimento epitaxial por feixe molecular: da física ao dispositivo
- Behavior of excitonic transitions in AlGaAs/GaAs coupled double quantum wells as a function of temperature and excitation power
- Optical properties in `In IND.0.2´`Ga IND.0.8´ As=GaAs superlattices grown on (001) GaAs substrates
Como citar
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas