GaAs'delta'-doped: comparação entre as estruturas da banda de valência das fases zincblend e wurtzita (2011)
- Autores:
- Autor USP: SIPAHI, GUILHERME MATOS - IFSC
- Unidade: IFSC
- Assuntos: NANOTECNOLOGIA; SEMICONDUTORES
- Idioma: Português
- Imprenta:
- Editora: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC
- Local: São Carlos
- Data de publicação: 2011
- ISBN: 9788561958015
- Fonte:
- Título do periódico: Caderno de Resumos
- Nome do evento: Semana do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC
-
ABNT
FARIA JUNIOR, Paulo Eduardo de e SIPAHI, Guilherme Matos. GaAs'delta'-doped: comparação entre as estruturas da banda de valência das fases zincblend e wurtzita. 2011, Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2011. . Acesso em: 19 abr. 2024. -
APA
Faria Junior, P. E. de, & Sipahi, G. M. (2011). GaAs'delta'-doped: comparação entre as estruturas da banda de valência das fases zincblend e wurtzita. In Caderno de Resumos. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC. -
NLM
Faria Junior PE de, Sipahi GM. GaAs'delta'-doped: comparação entre as estruturas da banda de valência das fases zincblend e wurtzita. Caderno de Resumos. 2011 ;[citado 2024 abr. 19 ] -
Vancouver
Faria Junior PE de, Sipahi GM. GaAs'delta'-doped: comparação entre as estruturas da banda de valência das fases zincblend e wurtzita. Caderno de Resumos. 2011 ;[citado 2024 abr. 19 ] - Paralelização do cálculo de estrutura de bandas usando o Portland HPF
- Simulaçãodepropriedades eletrônicas de HEMTs
- Programação paralela de alto desempenho em placas de vídeo
- Investigation of the spin charge polarization in diluted magnetic semiconductors (DMS) based on II-VI group
- Desenvolvimento de Interface WEB para visualização de resultados científicos
- Estudo de ligas quartenárias de nitretos para aplicações em dispositivos de luz branca
- Estudo dos efeitos de confinamento adicional ao potencial total em semicondutores ferromagnéticos diluídos baseados em GeMn
- Cálculo de espectros de luminescência de estruturas semicondutoras de baixa dimensionalidade
- Optical properties calculations in nitrides heterostructures
- Exchange-correlation parametrizations effects in DMS: (Zn, Co)O and (Ga,Mn)As
Como citar
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
