O transistor válvula de spin de AlGaAs/GaAs e outros semicondutores: dirigido a novos dispositivos spintrônicos (2013)
- Autores:
- Autor USP: AYLLON, EDGAR FERNANDO ALIAGA - IF
- Unidade: IF
- Sigla do Departamento: FMT
- Assuntos: GÁS DE ELÉTRONS BIDIMENSIONAL; POÇO PARABÓLICO; FATOR G DE LANDÉ; EFEITO HALL; VÁLVULA DE SPIN
- Idioma: Português
- Imprenta:
- Data da defesa: 26.11.2013
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ABNT
ALIAGA AYLLÓN, Edgar Fernando. O transistor válvula de spin de AlGaAs/GaAs e outros semicondutores: dirigido a novos dispositivos spintrônicos. 2013. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2013. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-20102014-164755/. Acesso em: 24 abr. 2024. -
APA
Aliaga Ayllón, E. F. (2013). O transistor válvula de spin de AlGaAs/GaAs e outros semicondutores: dirigido a novos dispositivos spintrônicos (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-20102014-164755/ -
NLM
Aliaga Ayllón EF. O transistor válvula de spin de AlGaAs/GaAs e outros semicondutores: dirigido a novos dispositivos spintrônicos [Internet]. 2013 ;[citado 2024 abr. 24 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-20102014-164755/ -
Vancouver
Aliaga Ayllón EF. O transistor válvula de spin de AlGaAs/GaAs e outros semicondutores: dirigido a novos dispositivos spintrônicos [Internet]. 2013 ;[citado 2024 abr. 24 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-20102014-164755/
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