Improved retention times in UTBOX nMOSFETs for 1T-DRAM applications (2014)
- Autores:
- Autor USP: MARTINO, JOÃO ANTONIO - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.1016/j.sse.2014.04.031
- Assunto: TRANSISTORES
- Idioma: Inglês
- Fonte:
- Título do periódico: Solid-State Electronics
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.97, p. 30-37, July 2014
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
SASAKI, Karen Lucia Mayumi et al. Improved retention times in UTBOX nMOSFETs for 1T-DRAM applications. Solid-State Electronics, v. 97, p. 30-37, 2014Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2014.04.031. Acesso em: 19 abr. 2024. -
APA
Sasaki, K. L. M., Nicoletti, T., Almeida, L. M., Santos, S. D. dos, Nissimoff, A., Aoulaiche, M., & Martino, J. A. (2014). Improved retention times in UTBOX nMOSFETs for 1T-DRAM applications. Solid-State Electronics, 97, 30-37. doi:10.1016/j.sse.2014.04.031 -
NLM
Sasaki KLM, Nicoletti T, Almeida LM, Santos SD dos, Nissimoff A, Aoulaiche M, Martino JA. Improved retention times in UTBOX nMOSFETs for 1T-DRAM applications [Internet]. Solid-State Electronics. 2014 ;97 30-37.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2014.04.031 -
Vancouver
Sasaki KLM, Nicoletti T, Almeida LM, Santos SD dos, Nissimoff A, Aoulaiche M, Martino JA. Improved retention times in UTBOX nMOSFETs for 1T-DRAM applications [Internet]. Solid-State Electronics. 2014 ;97 30-37.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2014.04.031 - Temperature influences on the drain leakage current behavior in graded-channel SOI nMOSFETs
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Informações sobre o DOI: 10.1016/j.sse.2014.04.031 (Fonte: oaDOI API)
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