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Desenvolvimento e aplicações de uma tecnologia MOS canal N de porta metálica (1974)

  • Authors:
  • USP affiliated authors: RODRIGUEZ, EDGAR CHARRY - EP
  • USP Schools: EP
  • Sigla do Departamento: PEL
  • Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS
  • Language: Português
  • Abstract: Este trabalho apresenta uma tecnologia para a fabricação de circuitos integrados digitais, usando dispositivos MOS canal N de porta metálica. Foi desenvolvida uma sequência de processamento, otimizada para as condições de nosso laboratório. Como teste dessa tecnologia, fabricaram-se e caracterizaram-se diversos dispositivos e circuitos integrados. Inicialmente, os fenômenos de superfície do sistema Al-SiO2-Si foram classificados e estudados detalhadamente, através de técnicas de medida e avaliação pelo método C (V). Mediante controle e redução dos efeitos de tais fenômenos, obtivemos um número total de estados rápidos intrínsecos de 5 x 1010 estados/cm2, comparável aos melhores valores da literatura, e uma carga efetiva dos estados de superfície de Ƨss/q ≅ 2,4 x 1011 cargas/cm2. Mediante tratamentos de temperatura-polarização, verificamos a excelente estabilidade da tensão de limiar, VT, dos dispositivos fabricados. Ape4sar da camada de óxido espesso utilizada ter uma espessura relativamente pequena (10000 Å), conseguimos relação de 10:1 entre as tensões de limiar dos transistores de óxido espesso e fino (1000 Å). As medidas de VT foram efetuadas através de um método por nós introduzido. Altos valores (150 cm2/V-seg) da mobilidade efetiva dos portadores do canal foram encontrados. Este fato e os anteriores indicam que os fenômenos de superfície estão bem controlados. Discutimos amplamente o projeto e as características elétricas do dispositivo NMOS de transcondutância média com polarização do substrato. Apresentamos um estudo teórico-prático do comportamento estático e dinâmico do inversor, elemento básico de funções lógicas mais complexas. Mediante a fabricação de uma cascata de cinco inversores medimos um tempo de atraso de propagação do par de 20 nseg, valorcomparável aos obtidos por outros pesquisadores, para geometrias semelhantes. Finalmente, para avaliar os méritos de nossa tecnologia através de circuitos mais complexos e críticos, projetamos e fabricamos registradores de deslocamento tipo dinâmico, de duas fases de relação. Estágios de 1,3 e 8 bits, foram realizados, com área da célula básica (1 bit) de aproximadamente 250 x 200 µm² (80 mils²), verificando-se um consumo máximo de 350 µW/bit. O de 8 bits, estudado com mais detalhes, apresenta bom desempenho na faixa de 0,01 a 2,5 MHz, apesar de operar com “buffer” externo, de dispositivo discreto.
  • Imprenta:
  • Data da defesa: 12.07.1974

  • Exemplares físicos disponíveis nas Bibliotecas da USP
    BibliotecaCód. de barrasNúm. de chamada
    EPEL31500013206FT-56 e.2
    How to cite
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    • ABNT

      CHARRY RODRIGUEZ, Edgar; FERREIRA, Ademar. Desenvolvimento e aplicações de uma tecnologia MOS canal N de porta metálica. 1974.Universidade de São Paulo, São Paulo, 1974.
    • APA

      Charry Rodriguez, E., & Ferreira, A. (1974). Desenvolvimento e aplicações de uma tecnologia MOS canal N de porta metálica. Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Charry Rodriguez E, Ferreira A. Desenvolvimento e aplicações de uma tecnologia MOS canal N de porta metálica. 1974 ;
    • Vancouver

      Charry Rodriguez E, Ferreira A. Desenvolvimento e aplicações de uma tecnologia MOS canal N de porta metálica. 1974 ;

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