Projeto de amplificadores banda-larga para microondas (1986)
- Authors:
- Autor USP: LUQUESE, MARCOS AURELIO - EP
- Unidade: EP
- Sigla do Departamento: PEL
- Assunto: AMPLIFICADORES
- Language: Português
- Abstract: Apresenta-se neste trabalho métodos de projeto e construção de amplificadores banda larga para microondas. As técnicas aqui denominadas de: Compensação Reativa, Carregamento Dissipativo, e Realimentação, permitem a obtenção de amplificadores com ganho plano e adaptadas ao longo da faixa de projeto. No caso do projeto de amplificadores com compensação reativa, estuda-se a função de transferência de um amplificador constituído por um GaAs FET terminado na entrada e saída por circuitos reativos, impõe-se as condições de ganho plano, e determina-se os circuitos de compensação. A adaptação de impedâncias é obtida pelo balanceamento de dois destes amplificadores através de híbridos de 90°. Nos amplificadores com carregamento dissipativo e realimentados ganho plano e adaptação são obtidos com amplificadores simples não balanceados. Estabelece-se métodos para projeto e avaliação da potencialidade de desempenho em banda larga destes amplificadores, tendo em vista o compromisso existente entre ganho e adaptação de impedâncias, função das características dos transistores empregados. Para a determinação dos circuitos de carregamento e dos circuitos de realimentação faz-se uso intensivo de programas de análise e otimização de circuitos de microondas. Apresenta-se também as expressões exatas para cálculo da figura de ruído dos amplificadores estudados. Um programa foi elaborado para análise da influência dos resistores de realimentação na figura de ruído de amplificadores realimentados a transistores bipolares. Descreve-se as etapas de projeto e construção dos seguintes amplificadores: o primeiro, um amplificador com carregamento dissipativo projetado para a faixa de 3,0 à 6,0 GHz empregando transistores encapsulados, o segundo, também amplificador com carregamento dissipativo, construído com tecnologia de filmes finos empregando transistores em “chip” projetado para a faixa d 2 à 8,0GHz, e por último um amplificador realimentado, encapsulado, para a faixa de 100 à 2000 MHz construído com tecnologia de filmes finos empregando transistor bipolar.
- Imprenta:
- Data da defesa: 12.12.1986
-
ABNT
LUQUEZE, Marcos Aurelio. Projeto de amplificadores banda-larga para microondas. 1986. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1986. . Acesso em: 29 mar. 2024. -
APA
Luqueze, M. A. (1986). Projeto de amplificadores banda-larga para microondas (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. -
NLM
Luqueze MA. Projeto de amplificadores banda-larga para microondas. 1986 ;[citado 2024 mar. 29 ] -
Vancouver
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