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Estruturação de um método de fabricação de transistores bipolares auto-alinhados para circuitos integrados de alta velocidade (1985)

  • Authors:
  • USP affiliated authors: FONSECA, REUSI INES - EP
  • USP Schools: EP
  • Subjects: TRANSISTORES; CIRCUITOS INTEGRADOS
  • Language: Português
  • Abstract: Este trabalho se propõe a fornecer os elementos básicos necessários à fabricação de transistores bipolares rápidos, convenientes para serem utilizados em Circuitos Integrados de lógica rápida não saturada, mais especificamente os ECL. Inicialmente, é feita uma análise d como o desenvolvimento de novos processos tecnológicos permitiu melhorar a velocidade dos dispositivos, através da correlação entre os parâmetros tecnológicos e geométricos. É realizado um estudo evidenciando a importância do Silício policristalino como principal elemento no aumento da velocidade e redação do tamanho físico desses novos transistores, pela técnica de auto-alinhamento de base e emissor. Posteriormente, parte significativa do trabalho é dedicada ao estudo e caracterização dos diversos processos básicos necessários à fabricação do transistor auto-alinhado , tendo sido dada especial atenção a: 1. Obtenção e caracterização física de filmes de Si₃N₄, cujos resultados são compatíveis com aqueles reportados na literatura; 2. Caracterização da implantação e difusão de Antimônio, onde são obtidos alguns resultados experimentais de relevância tais como: coeficiente de difusão a T = 1200°C apresentando interessantes discrepâncias em relação ao reportado na literatura; importância do recozimento a baixa temperatura para ativação das cargas implantadas a comprovação do modelo Gaussiano da distribuição das cargas, através de medidas da velocidade de decapagem com HCL; 3. Obtenção e caracterização física de filmes de Si-poli, onde se realizou medidas do tamanho do grão por intermédio dos difratogramas de Raios-X. Finalmente, é apresentada uma proposta de sequência tecnológica de fabricação de transistores auto-alinhados, e um motivo-teste a nívelde máscaras, que permite obter parâmetros elétricos relativos aos processos individuais e a transistores com geometrias especiais.
  • Imprenta:
  • Data da defesa: 19.12.1985

  • Exemplares físicos disponíveis nas Bibliotecas da USP
    BibliotecaCód. de barrasNúm. de chamada
    EPEL31500013287FT-200 e.2
    How to cite
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    • ABNT

      FONSECA, Reusi Ines; ANDRADE, Carlos Américo Morato de. Estruturação de um método de fabricação de transistores bipolares auto-alinhados para circuitos integrados de alta velocidade. 1985.Universidade de São Paulo, São Paulo, 1985.
    • APA

      Fonseca, R. I., & Andrade, C. A. M. de. (1985). Estruturação de um método de fabricação de transistores bipolares auto-alinhados para circuitos integrados de alta velocidade. Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Fonseca RI, Andrade CAM de. Estruturação de um método de fabricação de transistores bipolares auto-alinhados para circuitos integrados de alta velocidade. 1985 ;
    • Vancouver

      Fonseca RI, Andrade CAM de. Estruturação de um método de fabricação de transistores bipolares auto-alinhados para circuitos integrados de alta velocidade. 1985 ;

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