Construção e obtenção das principais características elétricas de capacitores MOS com porta de policeto de titânio (1987)
- Authors:
- Autor USP: PIRES, RENATO GUEDES - EP
- Unidade: EP
- Sigla do Departamento: PEL
- Subjects: CAPACITORES; CIRCUITOS INTEGRADOS MOS
- Language: Português
- Abstract: Apresentamos neste trabalho o desenvolvimento básico necessário à construção e caracterização de capacitores MOS com porta de policeto de titânio (dissiliceto de titânio sobre silício policristalino). As características elétricas dos capacitores MOS com porta de policeto são comparadas com aquelas de capacitores MOS construídos com o processo convencional de silício policristalino. São analisados os efeitos dos processos de recozimento térmico rápido e de deposição por espirramento sobre as características elétricas dos capacitores MOS. Foram obtidas resistências de folha do material de eletrodo de porta inferiores a 2,5 Ω/o, densidades efetivas de cargas no óxido inferiores a 5 x 1010 cargas/ cm2, densidades de cargas móveis inferiores a 2 x 1010 cargas/cm2 e campos de ruptura do óxido de porta superiores a 9 MV/cm2. Tais resultados comprovam o alto grau de qualidade dos dispositivos MOS com porta de policeto de titânio. Foi ainda projetado, desenvolvido e implantado um sistema computacional para a análise de curvas C-V AF, C-V BF e C-t de capacitores MOS com dopagem uniforme. Tal sistema foi implementado a partir de um extensivo trabalho de revisão bibliográfica, amplamente justificado através de desenvolvimento teóricos. Como resultado desses estudos obtivemos uma expressão analítica para curvas C-V AF de capacitores MOS com substrato tipo-n. Tal expressão não era encontrada na literatura.
- Imprenta:
- Data da defesa: 30.07.1987
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ABNT
PIRES, Renato Guedes. Construção e obtenção das principais características elétricas de capacitores MOS com porta de policeto de titânio. 1987. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1987. . Acesso em: 24 abr. 2024. -
APA
Pires, R. G. (1987). Construção e obtenção das principais características elétricas de capacitores MOS com porta de policeto de titânio (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. -
NLM
Pires RG. Construção e obtenção das principais características elétricas de capacitores MOS com porta de policeto de titânio. 1987 ;[citado 2024 abr. 24 ] -
Vancouver
Pires RG. Construção e obtenção das principais características elétricas de capacitores MOS com porta de policeto de titânio. 1987 ;[citado 2024 abr. 24 ]
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