Cálculo de efeitos de muitos eletrons para estados excitados de defeitos 'SP POT.3' em semicondutores (1990)
- Authors:
- Autor USP: SCHMIDT, TOME MAURO - IF
- Unidade: IF
- Sigla do Departamento: FMT
- Subjects: CIRCUITOS ELETRÔNICOS; SEMICONDUTORES
- Language: Português
- Abstract: Nosso trabalho refere-se ao estudo de efeitos de muitos eletrons utilizando o modelo da molecula defeituosa, para analisarmos defeitos localizados em semicondutores. No caso da vacancia, tomamos quatro hibridos flutuantes que formam as funcoes bases. Estendemos o modelo para o caso de oito orbitais hibridos de forma que podemos estudar uma classe maior de defeitos. Grande parte dos defeitos nativos apresentam metaestabilidade, instabilidade e biestabilidade configuracionais. Escrevemos nossas funcoes bases de acordo com a transformacao dos orbitais segundo as representacoes irredutiveis dos grupos td e c3v. Diagramas de correlacao sao construidos a partir de parametros de um eletron ('DELTA') e das interacoes eletron-eletron (u). Finalmente partindo de um calculo de densidade local introduzimos parametros efetivos de um eletron no nosso procedimento (molecula defeituosa). Com isso evidenciamos os efeitos de muitos eletrons que sao ignorados na aproximacao de densidade local
- Imprenta:
- Data da defesa: 15.10.1990
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ABNT
SCHMIDT, Tome Mauro. Cálculo de efeitos de muitos eletrons para estados excitados de defeitos 'SP POT.3' em semicondutores. 1990. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1990. . Acesso em: 07 maio 2024. -
APA
Schmidt, T. M. (1990). Cálculo de efeitos de muitos eletrons para estados excitados de defeitos 'SP POT.3' em semicondutores (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. -
NLM
Schmidt TM. Cálculo de efeitos de muitos eletrons para estados excitados de defeitos 'SP POT.3' em semicondutores. 1990 ;[citado 2024 maio 07 ] -
Vancouver
Schmidt TM. Cálculo de efeitos de muitos eletrons para estados excitados de defeitos 'SP POT.3' em semicondutores. 1990 ;[citado 2024 maio 07 ]
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