Desenvolvimento e caracterização de amplificadores óticos semicondutores (1992)
- Authors:
- Autor USP: GARCIA, GUILHERME DE ANDRADE - EESC
- Unidade: EESC
- Sigla do Departamento: SEL
- Assunto: ENGENHARIA ELÉTRICA
- Language: Português
- Abstract: Esta dissertação resume os primeiros esforços de pesquisa em Amplificadores Óticos Semicondutores ( AOS ) no país. Foram construidos AOS de Onda Caminhante pela aplicação de camadas Anti-Refletoras ( AR ), com ultra-baixa refletividade, sobre as facetas terminais de lasers semicondutores com dupla heteroestrutura InGaAsP - DCPBH operando em 1,3 μm. O dielétrico usado na confecção das camadas AR foi o monóxido de silício não estequiométrico SiOx, depositado termicamente sob condições controladas de modo a apresentar o índice de refração e espessura desejados. O índice de refração otimizado foi obtido depositando o filme de SiOx sob condições controladas de pressão parcial de oxigênio e taxa de evaporação . A espessura ótima da camada AR foi adquirida pela monitoração em tempo real de um parâmetro (ótico ou elétrico ) relacionado à refletividade. Para verificar-se a reprodutibilidade e confiabilidade do processo de deposição foi empregado o método estatístico de "Planejamento Fatorial de Experimentos". Foram utilizados diferentes métodos para inferir a refletividade das camadas AR depositadas e o ganho espectral dos AOS. Foi também. montado um sistema para medida direta do ganho, englobando um laser em cavidade externa sintonizável, acopladores monomodo a fibra, controladores de polarização da radiação ótica e também controladores de temperatura do suporte do AOS. Através deste sistema foram levantados os principais parâmetros do AOS como ganho de passagem única, potênciade saída saturada e largura da curva de ganho. A deposição de camadas AR com monitoração elétrica em tempo real permitiu a obtenção de refletividades inferiores a 10-3 , o que gerou ganhos de passagem única superiores a 20 dB e potência de saturação de + 2 dBm. Foi observada uma largura da banda ótica de amplificação de Δλ = 49 nm, com o pico de ganho em 1,29 μm. Os dispositivos apresentaram significativa diferença de ganho para os modos TE e TM devido ao uso de estruturas não otimizadas. O AOS foi testado como modulador externo eletro-absortivo, medindo-se uma razão ON/OFF de 29 dB
- Imprenta:
- Publisher place: São Carlos
- Date published: 1992
- Data da defesa: 21.02.1992
-
ABNT
GARCIA, Guilherme de Andrade. Desenvolvimento e caracterização de amplificadores óticos semicondutores. 1992. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 1992. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18133/tde-21092022-171326/. Acesso em: 26 abr. 2024. -
APA
Garcia, G. de A. (1992). Desenvolvimento e caracterização de amplificadores óticos semicondutores (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18133/tde-21092022-171326/ -
NLM
Garcia G de A. Desenvolvimento e caracterização de amplificadores óticos semicondutores [Internet]. 1992 ;[citado 2024 abr. 26 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18133/tde-21092022-171326/ -
Vancouver
Garcia G de A. Desenvolvimento e caracterização de amplificadores óticos semicondutores [Internet]. 1992 ;[citado 2024 abr. 26 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18133/tde-21092022-171326/
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