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Modelagem e simulacao de processo de producao de triclorosilano para obtencao de silicio grau eletronico (1994)

  • Authors:
  • USP affiliated authors: PEREIRA, ADRIANA DE CAMARGO - EP
  • USP Schools: EP
  • Sigla do Departamento: PQI
  • Subjects: ENGENHARIA QUÍMICA
  • Language: Português
  • Abstract: A modelagem e simulacao de hidrocloracao de silicio grau metalurgico foi realizada. O processo pode ser dividido em duas partes principais: o processo reativo e a separacao dos produtos. O modelo matematico do reator de leito fluidizado empregado e uma combinacao do modelo de bolhas com o de compartimentos. A producao de triclorosilano e favorecida com a diminuicao da temperatura e do tamanho de particula. No processo de separacao a eficiencia aumenta com o aumento da pressao e do reciclo das colunas de separacao. Um estudo de caso foi realizado para uma planta industrial de triclorosilano (grau de pureza 99.9999%) de capacidade de 150 a 200 tons/ano. A simulacao mostrou que o diametro do reator e a vazao de hci podem representar um importante parametro sob o ponto de vista economico.
  • Imprenta:
  • Data da defesa: 31.05.1994

  • Exemplares físicos disponíveis nas Bibliotecas da USP
    BibliotecaCód. de barrasNúm. de chamada
    EPQI32000006435FD-1620
    How to cite
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    • ABNT

      PEREIRA, Adriana de Camargo; NASCIMENTO, Cláudio Augusto Oller do. Modelagem e simulacao de processo de producao de triclorosilano para obtencao de silicio grau eletronico. 1994.Universidade de São Paulo, São Paulo, 1994.
    • APA

      Pereira, A. de C., & Nascimento, C. A. O. do. (1994). Modelagem e simulacao de processo de producao de triclorosilano para obtencao de silicio grau eletronico. Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Pereira A de C, Nascimento CAO do. Modelagem e simulacao de processo de producao de triclorosilano para obtencao de silicio grau eletronico. 1994 ;
    • Vancouver

      Pereira A de C, Nascimento CAO do. Modelagem e simulacao de processo de producao de triclorosilano para obtencao de silicio grau eletronico. 1994 ;

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