Estudo da difusão de boro em silício a partir de BBr³ (1973)
- Authors:
- Autor USP: GLASER, HARTMUT RICHARD - EP
- Unidade: EP
- Sigla do Departamento: PEL
- Assunto: ENGENHARIA ELÉTRICA
- Language: Português
- Abstract: Neste trabalho são estudados processos de deposição e redistribuição de impurezas de boro em silício, etapas fundamentais da tecnologia planar de dispositivos semicondutores. O objetivo deste trabalho é adquirir o conhecimento e a compreensão da sistemática que envolvem os processos de deposição e redistribuição, de tal modo que os mesmos possam ser usados na tecnologia planar. A primeira parte deste trabalho apresenta uma descrição da teoria de difusão, para o caso da deposição, mostrando a solução da equação de difusão para várias condições de contorno, os parâmetros da difusão e a relação entre eles. A segunda parte deste trabalho consiste de uma descrição da teoria da difusão, para o caso da redistribuição, mostrando a solução da equação de difusão para várias condições de contorno, inclusive para o caso da redistribuição com oxidação térmica, e mostrando também, os parâmetros da redistribuição e a relação entre eles.
- Imprenta:
- Data da defesa: 20.12.1973
-
ABNT
GLASER, Hartmut Richard. Estudo da difusão de boro em silício a partir de BBr³. 1973. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1973. . Acesso em: 24 abr. 2024. -
APA
Glaser, H. R. (1973). Estudo da difusão de boro em silício a partir de BBr³ (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. -
NLM
Glaser HR. Estudo da difusão de boro em silício a partir de BBr³. 1973 ;[citado 2024 abr. 24 ] -
Vancouver
Glaser HR. Estudo da difusão de boro em silício a partir de BBr³. 1973 ;[citado 2024 abr. 24 ]
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
