Ver registro no DEDALUS
Exportar registro bibliográfico

Estudo da difusão de boro em silício a partir de BBr³ (1973)

  • Authors:
  • USP affiliated authors: GLASER, HARTMUT RICHARD - EP
  • USP Schools: EP
  • Sigla do Departamento: PEL
  • Subjects: ENGENHARIA ELÉTRICA
  • Language: Português
  • Abstract: Neste trabalho são estudados processos de deposição e redistribuição de impurezas de boro em silício, etapas fundamentais da tecnologia planar de dispositivos semicondutores. O objetivo deste trabalho é adquirir o conhecimento e a compreensão da sistemática que envolvem os processos de deposição e redistribuição, de tal modo que os mesmos possam ser usados na tecnologia planar. A primeira parte deste trabalho apresenta uma descrição da teoria de difusão, para o caso da deposição, mostrando a solução da equação de difusão para várias condições de contorno, os parâmetros da difusão e a relação entre eles. A segunda parte deste trabalho consiste de uma descrição da teoria da difusão, para o caso da redistribuição, mostrando a solução da equação de difusão para várias condições de contorno, inclusive para o caso da redistribuição com oxidação térmica, e mostrando também, os parâmetros da redistribuição e a relação entre eles.
  • Imprenta:
  • Data da defesa: 20.12.1973

  • Exemplares físicos disponíveis nas Bibliotecas da USP
    BibliotecaCód. de barrasNúm. de chamada
    EPEL31500011789FD-3
    How to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      GLASER, Hartmut Richard; ANDRADE, Carlos Américo Morato de. Estudo da difusão de boro em silício a partir de BBr³. 1973.Universidade de São Paulo, São Paulo, 1973.
    • APA

      Glaser, H. R., & Andrade, C. A. M. de. (1973). Estudo da difusão de boro em silício a partir de BBr³. Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Glaser HR, Andrade CAM de. Estudo da difusão de boro em silício a partir de BBr³. 1973 ;
    • Vancouver

      Glaser HR, Andrade CAM de. Estudo da difusão de boro em silício a partir de BBr³. 1973 ;