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Metalização por alumínio evaporado no vácuo aplicada a circuitos integrados monolíticos (1973)

  • Authors:
  • USP affiliated authors: ELY, HELIO JOSE FONSECA - EP
  • USP Schools: EP
  • Subjects: ENGENHARIA ELÉTRICA
  • Language: Português
  • Abstract: Este trabalho tem por objetivo estudar duas etapas necessárias à produção de circuitos integrados monolíticos, pela técnica planar: a obtenção de um filme metálico sobre uma lâmina de silício e a otimização do contato elétrico entre esse filme, depois de fotogravado, e alguns pontos da lâmina. O filme foi obtido por evaporação, no vácuo, de alumínio, aquecido por processo resistivo. Foram estudados os seguintes parâmetros: temperatura do substrato, espessura, taxa de crescimento, granulação e aderência do filme depositado. A otimização dos contatos elétricos foi feita por um processo de recozimento. Foi estudado o efeito dos parâmetros, tempo e temperatura de recozimento sobre a formação dos contatos. Foram determinadas a resistência e a resistividade de contato entre alumínio e silício. Os resultados obtidos podem ser considerados bons para a fabricação de circuitos integrados.
  • Imprenta:
  • Data da defesa: 18.09.1973

  • Exemplares físicos disponíveis nas Bibliotecas da USP
    BibliotecaCód. de barrasNúm. de chamada
    EPEL31500011795FD-19
    How to cite
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    • ABNT

      ELY, Hélio José Fonseca; ANDRADE, Carlos Américo Morato de. Metalização por alumínio evaporado no vácuo aplicada a circuitos integrados monolíticos. 1973.Universidade de São Paulo, São Paulo, 1973.
    • APA

      Ely, H. J. F., & Andrade, C. A. M. de. (1973). Metalização por alumínio evaporado no vácuo aplicada a circuitos integrados monolíticos. Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Ely HJF, Andrade CAM de. Metalização por alumínio evaporado no vácuo aplicada a circuitos integrados monolíticos. 1973 ;
    • Vancouver

      Ely HJF, Andrade CAM de. Metalização por alumínio evaporado no vácuo aplicada a circuitos integrados monolíticos. 1973 ;

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