Contribuição ao modelamento de transistores bipolares (1997)
- Authors:
- Autor USP: BODINAUD, JEAN ALBERT - EP
- Unidade: EP
- Sigla do Departamento: PEE
- Assunto: ENGENHARIA ELÉTRICA
- Language: Português
- Abstract: Para que o projetista de circuitos integrados tire melhor proveito da potencialidade dos processos de fabricação, é necessário um trabalho de modelamento dos dispositivos ativos, dentre os quais incluem-se os transistores bipolares de junção. Tipicamente trata-se do interface entre a engenharia de sistemas e a tecnologia de fabricação ou seja entre dois profissionais de perfil diferente; o projetista de sistemas e o tecnólogo. O objetivo deste trabalho é apresentar a potencialidade dos modelos analíticos do transistor bipolar como instrumento de trabalho neste interface. O estudo apresentado aprimora o modelamento e a caracterização dos diodos e dos transistores bipolares pela definição de junções PN equivalentes de dopagem uniforme. Graças à formulação analítica resultante, as capacitâncias, transcondutâncias e resitências de base melhoram sua precisão de simulação. Os critérios estabelecidos de equivalência de junção PN levam em conta as variações de carga elétrica e de energia eletrostática quando a polarização da junção oscila entre dois pontos. Uma outra contribuição importante deste trabalho é de mostrar como o modelo de cargas permite definir, com embasamento físico, a interdependência dos vários parâmetros dos modelos dos transistores NPN,PNP lateral e PNP substrato. A decomposição dos parâmetros do modelo de cargas numa componente geométrica, ligado ao projeto do transistor, e numa componente tecnológica, ligada à fabricação da pastilha ou da lâmina de silício, leva à uma redução drástica do número de parâmetros independentes necessário à simulação da relação entre dispersões tecnológicas e características elétricas de circuitos integrados. A metodologia aplicada à tecnologia analógica bipolar de 40 volts pode ser generalizada para as tecnologias VLSI, ECL ou BICMOS.
- Imprenta:
- Data da defesa: 18.04.1997
-
ABNT
BODINAUD, Jean Albert. Contribuição ao modelamento de transistores bipolares. 1997. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1997. . Acesso em: 16 abr. 2024. -
APA
Bodinaud, J. A. (1997). Contribuição ao modelamento de transistores bipolares (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. -
NLM
Bodinaud JA. Contribuição ao modelamento de transistores bipolares. 1997 ;[citado 2024 abr. 16 ] -
Vancouver
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