Study of 4d and 5d impurities in iii-v semiconductors (1988)
- Authors:
- USP affiliated authors: FAZZIO, ADALBERTO - IF ; CALDAS, MARILIA JUNQUEIRA - IF
- Unidade: IF
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher: World Scientific
- Publisher place: Singapore
- Date published: 1988
- Source:
- Título do periódico: Proceedings
- Conference titles: Escola Brasileira de Fisica de Semicondutores
-
ABNT
MAKIUCHI, N et al. Study of 4d and 5d impurities in iii-v semiconductors. 1988, Anais.. Singapore: World Scientific, 1988. . Acesso em: 25 abr. 2024. -
APA
Makiuchi, N., Macedo, T. C., Caldas, M. J., & Fazzio, A. (1988). Study of 4d and 5d impurities in iii-v semiconductors. In Proceedings. Singapore: World Scientific. -
NLM
Makiuchi N, Macedo TC, Caldas MJ, Fazzio A. Study of 4d and 5d impurities in iii-v semiconductors. Proceedings. 1988 ;[citado 2024 abr. 25 ] -
Vancouver
Makiuchi N, Macedo TC, Caldas MJ, Fazzio A. Study of 4d and 5d impurities in iii-v semiconductors. Proceedings. 1988 ;[citado 2024 abr. 25 ] - Influencia dos orbitais mn-3d no espectro otico de ligas 'CD IND.1-X''MN IND.X''TE'
- 'GA''AS': 'GE', e um centro dx ?
- Defeitos de anti-sitio e tipo anti-sitio em 'GA''AP'
- Germanium negative-u center in 'GA''AS'
- Estabilidade e metaestabilidade de defeitos em 'GA''AS'
- Trends in the metastability of dx-centers
- Eletronic structure of native defects in iii-v compound
- Electronic structure of copper, silver and gold in silicon
- Impurezas de 'CU' 'AG' e 'AU' em'SI' por um metodo de funcoes de green
- Chemical trends and universalities in the spectra transition metal impurities in semiconductors
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