Dependencia da tensao de limiar de transistores tipo deplecao com canal n implantado, na reducao da geometria do dispositivo (1988)
- Authors:
- USP affiliated authors: ANDRADE, CARLOS AMERICO MORATO DE - IEE ; ZASNICOFF, LUIZ SERGIO - EP
- Unidades: IEE; EP
- Assunto: MICROELETRÔNICA
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher: Sbmicro/Epusp
- Publisher place: São Paulo
- Date published: 1988
- Source:
- Título do periódico: Anais
- Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica
-
ABNT
ZASNICOFF, Luiz Sergio e ANDRADE, Carlos Américo Morato de. Dependencia da tensao de limiar de transistores tipo deplecao com canal n implantado, na reducao da geometria do dispositivo. 1988, Anais.. São Paulo: Sbmicro/Epusp, 1988. . Acesso em: 23 abr. 2024. -
APA
Zasnicoff, L. S., & Andrade, C. A. M. de. (1988). Dependencia da tensao de limiar de transistores tipo deplecao com canal n implantado, na reducao da geometria do dispositivo. In Anais. São Paulo: Sbmicro/Epusp. -
NLM
Zasnicoff LS, Andrade CAM de. Dependencia da tensao de limiar de transistores tipo deplecao com canal n implantado, na reducao da geometria do dispositivo. Anais. 1988 ;[citado 2024 abr. 23 ] -
Vancouver
Zasnicoff LS, Andrade CAM de. Dependencia da tensao de limiar de transistores tipo deplecao com canal n implantado, na reducao da geometria do dispositivo. Anais. 1988 ;[citado 2024 abr. 23 ] - Processo nmos de alto desempenho eletrico: caracterizacao dos principais parametros
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