Mobilidade hall e concentração de portadores em filmes semicondutores 'GA''AS': 'SI' crescidos por mbe (1989)
- Authors:
- Autor USP: LI, MAXIMO SIU - IFSC
- Unidade: IFSC
- Subjects: SEMICONDUTORES; FOTÔNICA
- Language: Português
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Ciência e Cultura
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.41, n.7 supl., p.285, jul. 1989
- Conference titles: Reunião Anual da SBPC
-
ABNT
CESCHIN, A M et al. Mobilidade hall e concentração de portadores em filmes semicondutores 'GA''AS': 'SI' crescidos por mbe. Ciência e Cultura. São Paulo: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 28 mar. 2024. , 1989 -
APA
Ceschin, A. M., Notari, A. C., Manzoli, E., Sharappe, B., & Siu Li, M. (1989). Mobilidade hall e concentração de portadores em filmes semicondutores 'GA''AS': 'SI' crescidos por mbe. Ciência e Cultura. São Paulo: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo. -
NLM
Ceschin AM, Notari AC, Manzoli E, Sharappe B, Siu Li M. Mobilidade hall e concentração de portadores em filmes semicondutores 'GA''AS': 'SI' crescidos por mbe. Ciência e Cultura. 1989 ;41( 7 supl.): 285.[citado 2024 mar. 28 ] -
Vancouver
Ceschin AM, Notari AC, Manzoli E, Sharappe B, Siu Li M. Mobilidade hall e concentração de portadores em filmes semicondutores 'GA''AS': 'SI' crescidos por mbe. Ciência e Cultura. 1989 ;41( 7 supl.): 285.[citado 2024 mar. 28 ] - Protótipo de Dewar com cinco janelas óticas para intervalo de temperatura de 55 K - 400 K
- Construção de laser de centro de cor sintonizável
- Relaxacao dieletrica em cristais mistos de kc'N IND.X': k'BR IND.1-X' 0.5 '<OU ='x''<ou '1.0
- Emissao vibracional do c'N POT.-' Induzido por absorcao do centro f em cristais de kcl impurificado com oc'N POT.-'
- Laser de centro de cor sintonizavel no intervalo de 2.56 'MI' a 2.82 'MI'
- Estudos de aglomeracao de o'H POT.-' Em k'CL' usando duas tecnicas: itc ( corrente termoestimulada) e eivd ( espectroscopia de transformada de fourier no infravermelho distante)
- Espectroscopia intracavidade com um laser de centro de cor na regiao de 2,7 'MU'm
- Construção de um laser de anel de centro de cor
- Emissão vibracional de 'CN POT.-' em cristais iônicos sob aplicação de campo externo
- Cristais de niobatos e germanatos dopados e sensibilizados para laser de estado solido
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas