Electronic subbands at gaas-algaas heterojunctions in paralel magnetic fields (1989)
- Authors:
- USP affiliated authors: LEITE, JOSE ROBERTO - IF ; GOMES, VIVILI MARIA SILVA - IF
- Unidade: IF
- Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Superlattices and Microstructures
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.6 , n.1 , p.47-50, 1989
-
ABNT
GOMES, V M S et al. Electronic subbands at gaas-algaas heterojunctions in paralel magnetic fields. Superlattices and Microstructures, v. 6 , n. 1 , p. 47-50, 1989Tradução . . Acesso em: 23 abr. 2024. -
APA
Gomes, V. M. S., Oliveira, G. M. G., Leite, J. R., & Chaves, A. S. (1989). Electronic subbands at gaas-algaas heterojunctions in paralel magnetic fields. Superlattices and Microstructures, 6 ( 1 ), 47-50. -
NLM
Gomes VMS, Oliveira GMG, Leite JR, Chaves AS. Electronic subbands at gaas-algaas heterojunctions in paralel magnetic fields. Superlattices and Microstructures. 1989 ;6 ( 1 ): 47-50.[citado 2024 abr. 23 ] -
Vancouver
Gomes VMS, Oliveira GMG, Leite JR, Chaves AS. Electronic subbands at gaas-algaas heterojunctions in paralel magnetic fields. Superlattices and Microstructures. 1989 ;6 ( 1 ): 47-50.[citado 2024 abr. 23 ] - Electronic structure of oxygen-related complex defects in silicon
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