Caracterizacao de oxido de silicio nao dopado depositados por pecvd (1989)
- Authors:
- Autor USP: MORIMOTO, NILTON ITIRO - EP
- Unidade: EP
- Assunto: MICROELETRÔNICA
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher: Sbmicro/Ufrgs
- Publisher place: Porto Alegre
- Date published: 1989
- Source:
- Título do periódico: Anais
- Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica
-
ABNT
MORIMOTO, Nilton Itiro e MONTREE, A H. Caracterizacao de oxido de silicio nao dopado depositados por pecvd. 1989, Anais.. Porto Alegre: Sbmicro/Ufrgs, 1989. . Acesso em: 04 maio 2024. -
APA
Morimoto, N. I., & Montree, A. H. (1989). Caracterizacao de oxido de silicio nao dopado depositados por pecvd. In Anais. Porto Alegre: Sbmicro/Ufrgs. -
NLM
Morimoto NI, Montree AH. Caracterizacao de oxido de silicio nao dopado depositados por pecvd. Anais. 1989 ;[citado 2024 maio 04 ] -
Vancouver
Morimoto NI, Montree AH. Caracterizacao de oxido de silicio nao dopado depositados por pecvd. Anais. 1989 ;[citado 2024 maio 04 ] - Method to obtain TEOS PECVD silicon oxide thick layers for optoelectronics devices applications. (em CD-Rom)
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