Group-iv impurity related centers in 'GA''AS' (1989)
- Authors:
- Autor USP: GOMES, VIVILI MARIA SILVA - IF
- Unidade: IF
- Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Inglês
- Source:
- Título do periódico: Materials Science Forum
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.38-41, p.833, 1989
-
ABNT
GOMES, V M S et al. Group-iv impurity related centers in 'GA''AS'. Materials Science Forum, v. 38-41, p. 833, 1989Tradução . . Acesso em: 28 mar. 2024. -
APA
Gomes, V. M. S., Pintanel, R., Scolfaro, L. M. R., & Meneses, E. A. (1989). Group-iv impurity related centers in 'GA''AS'. Materials Science Forum, 38-41, 833. -
NLM
Gomes VMS, Pintanel R, Scolfaro LMR, Meneses EA. Group-iv impurity related centers in 'GA''AS'. Materials Science Forum. 1989 ;38-41 833.[citado 2024 mar. 28 ] -
Vancouver
Gomes VMS, Pintanel R, Scolfaro LMR, Meneses EA. Group-iv impurity related centers in 'GA''AS'. Materials Science Forum. 1989 ;38-41 833.[citado 2024 mar. 28 ] - Aplicação de uma versão generalizada do metodo do espalhamento multiplo ao 'H POT.+ IND.2'
- Electrons at gaas-algaas heterojunctions in parallel magnetic fields
- Electronic structure of oxygen-related complex defects in silicon
- Efeito de campos magneticos paralelos a pocos quanticos sobre as bandas de valencia e conducao em hetero-estruturas de 'GA''AS'-'AL''GA''AS'
- Microscopic models of 'HG POT.+', 'AU POT.0' and 'PT POT.-' Isoelectronic interstitial impurities in silicon
- Calculos autoconsistentes da densidade bidimensional de eletrons em super-redes com dopagem
- Estrutura eletronica de impurezas em germanio
- Efeito de campos magneticos paralelos a pocos quanticos sobre as bandas de valencia e conducao em hetero-estruturas de 'GA''AS'-'AL''GA''AS'
- Theoretical investigation of deep level complexes related to carbon and oxygen impurities in silicon
- Eletronic structure of chalcogen impurities in germanium
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas